申请/专利权人：北京工业大学

申请日：2023-08-14

公开（公告）日：2023-10-13

公开（公告）号：CN116885565A

主分类号：H01S5/42

分类号：H01S5/42;H01S5/11;H01S5/18

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.10.31#实质审查的生效;2023.10.13#公开

摘要：本发明公开了一种相干耦合PCSEL阵列芯片及制备方法，包括：设置在同一外延结构上的顶发射二维周期性PCSEL阵列芯片和片上光栅耦合层，片上光栅耦合层设置在相邻两PCSEL阵列芯片之间；顶发射二维周期性PCSEL阵列芯片的P型GaAs功能层刻蚀二维光子晶体，P型电极上刻蚀出射窗口；片上光栅耦合层的P型GaAs功能层刻蚀一维光栅，P型电极上未刻蚀出射窗口。本发明通过在片上光栅耦合层的P型GaAs区域刻蚀一维光栅，增强了PCSEL阵列芯片之间的相干耦合，建立了一种PCSEL芯片的复合阵列结构，解决了传统半导体芯片阵列高光束质量和高功率输出不能兼顾的问题，实现了PCSEL阵列芯片高亮度的相干光束输出。

主权项：1.一种相干耦合PCSEL阵列芯片，其特征在于，包括：设置在同一外延结构上的顶发射二维周期性PCSEL阵列芯片和片上光栅耦合层，所述片上光栅耦合层设置在相邻两PCSEL阵列芯片之间；所述外延结构包括自下而上依次设置的N型电极、N型GaAs衬底、N型Alx1Ga1-x1As下限制层、量子阱有源区、P型AlyGa1-yAs电子阻挡层、P型GaAs功能层、P型Alx2Ga1-x2As上限制层、P+型GaAs欧姆接触层、ITO导电层和P型电极；其中，所述顶发射二维周期性PCSEL阵列芯片的P型GaAs功能层刻蚀二维光子晶体，且在P型电极上刻蚀出射窗口；所述片上光栅耦合层的P型GaAs功能层刻蚀一维光栅，且在P型电极上未刻蚀出射窗口。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京工业大学 一种相干耦合PCSEL阵列芯片及制备方法

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