申请/专利权人：西安电子科技大学

申请日：2023-11-21

公开（公告）日：2024-02-06

公开（公告）号：CN117524865A

主分类号：H01L21/3065

分类号：H01L21/3065;H01L21/033;H01L21/027

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.02.27#实质审查的生效;2024.02.06#公开

摘要：本发明涉及一种基于复合掩膜的SiC深刻蚀方法，包括：在SiC基片上淀积第一掩膜层；在第一掩膜层上溅射种子金属层；在种子金属层上制备第二掩膜层；刻蚀第二掩膜层和种子金属层，以形成若干间隔排列的预设沟槽；去除剩余的光刻胶，刻蚀预设沟槽内的第一掩膜层至暴露SiC基片的上表面；利用等离子体刻蚀方式刻蚀预设厚度的预设沟槽内的SiC基片，以形成若干间隔排列的SiC初始沟槽；去除剩余的第二掩膜层和种子金属层；利用气体刻蚀SiC初始沟槽，以制备SiC最终沟槽；去除剩余的所述第一掩膜层，完成SiC基片沟槽的刻蚀。本发明通过制备复合掩膜层以及两次刻蚀工艺，有效避免出现金属层脱落导致的微掩膜现象，降低SiC沟槽侧壁的粗糙度，减少侧壁竖条纹。

主权项：1.一种基于复合掩膜的SiC深刻蚀方法，其特征在于，所述SiC深刻蚀方法包括：步骤1、选取SiC基片；步骤2、在所述SiC基片上淀积第一掩膜层，所述第一掩膜层为非金属掩膜层；步骤3、在所述第一掩膜层上溅射种子金属层；步骤4、在所述种子金属层上电镀或者电铸第二掩膜层，所述第二掩膜层为金属掩膜层；步骤5、涂覆光刻胶，刻蚀所述第二掩膜层和所述种子金属层，以形成若干间隔排列的预设沟槽，所述预设沟槽的底部暴露所述第一掩膜层的上表面；步骤6、去除剩余的光刻胶，刻蚀所述预设沟槽内的所述第一掩膜层至暴露所述SiC基片的上表面；步骤7、利用等离子体刻蚀方式刻蚀预设厚度的所述预设沟槽内的所述SiC基片，以形成若干间隔排列的SiC初始沟槽，其中，所述预设厚度小于所述SiC基片的总厚度；步骤8、去除剩余的所述第二掩膜层和所述种子金属层；步骤9、利用气体刻蚀所述SiC初始沟槽，以制备SiC最终沟槽；步骤10、去除剩余的所述第一掩膜层，完成SiC基片沟槽的刻蚀。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安电子科技大学 一种基于复合掩膜的SiC深刻蚀方法

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