申请/专利权人：清华大学

申请日：2023-12-19

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117865218A

主分类号：C01G33/00

分类号：C01G33/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明涉及光学材料技术领域，尤其涉及一种薄膜铌酸锂干法深刻蚀工艺。本发明通过控制刻蚀气体的气压、比例以及刻蚀时间，可以调控铌酸锂的刻蚀速度和效果。可以得到刻蚀深度超过500nm，侧壁粗糙度小于10nm，侧壁倾角超过75°的薄膜铌酸锂器件。

主权项：1.一种薄膜铌酸锂干法刻蚀方法，其特征在于，包括：使用氩气和三氟甲烷作为刻蚀气体。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 清华大学 一种薄膜铌酸锂干法深刻蚀工艺

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