申请/专利权人：西安电子科技大学

申请日：2020-11-16

公开（公告）日：2024-02-13

公开（公告）号：CN112464606B

主分类号：G06F30/39

分类号：G06F30/39

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.02.13#授权;2021.03.26#实质审查的生效;2021.03.09#公开

摘要：本发明公开了一种基于温度效应的椭圆锥台形TSV的参数提取方法，包括：建立包含键合凸点的椭圆锥台形TSV的物理模型；提取包含键合凸点的椭圆锥台形TSV的寄生电阻；提取包含键合凸点的椭圆锥台形TSV的寄生电感；提取包含键合凸点的椭圆锥台形TSV的寄生电容；建立包含键合凸点的椭圆锥台形TSV寄生参数对应的等效电路；对包含键合凸点的椭圆锥台形TSV的物理模型和等效电路进行S参数仿真。该参数提取方法完整考虑了键合凸点的结构，特别是考虑了键合凸点对TSV电阻和电容产生的耦合影响，能够更加准确地提取TSV各寄生参数。

主权项：1.一种基于温度效应的椭圆锥台形TSV的参数提取方法，其特征在于，包括：S1：建立包含键合凸点的椭圆锥台形TSV的物理模型；S2：提取包含键合凸点的椭圆锥台形TSV的寄生电阻，所述S2包括：S21：提取所述椭圆锥台形TSV的直流环路电阻；S22：提取所述椭圆锥台形TSV的交流环路电阻；S23：根据所述直流环路电阻和所述交流环路电阻获取所述椭圆锥台形TSV的总寄生电阻；S3：提取包含键合凸点的椭圆锥台形TSV的寄生电感，所述S3包括：S31：提取所述椭圆锥台形TSV的寄生自感： 其中，μ0为自由空间磁导率，Ψ0为TSV结构的自感磁通量，Ψ1为TSV结构的互感磁通量，S为包裹TSV结构的任意闭合曲面，d1和d2分别表示TSV结构的顶面SiO2绝缘层和Gu导体芯部的长轴半径，l＝tanθ，θ为TSV结构的侧壁倾斜角；S32：对于两个相邻椭圆锥台形TSV，获得第一个TSV对于第二个TSV的互感M1： 其中，q1＝d1+d，p1＝b1+d，d表示两个相邻TSV导体之间的椭圆心距；S33：获得第二个TSV对于第一个TSV的互感M2： 其中，q2＝d1+2d，p2＝b1+2d；S4：提取包含键合凸点的椭圆锥台形TSV的寄生电容，所述S4包括：S41：提取TSV结构SiO2绝缘层中的MOS电容： 其中，Q表示SiO2绝缘层表面电荷量，ξox表示SiO2的介电常数，htsv表示TSV结构的高度，hbump表示键合凸点的高度；S42：提取TSV结构外侧衬底中的耗尽层电容： 其中，Rdep表示耗尽层宽度，ξsi表示Si的介电常数；S43：获得最小电容区的耗尽层电容；S5：建立包含键合凸点的椭圆锥台形TSV寄生参数对应的等效电路；S6：对包含键合凸点的椭圆锥台形TSV的物理模型和等效电路进行S参数仿真。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安电子科技大学 一种基于温度效应的椭圆锥台形TSV的参数提取方法

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