申请/专利权人：西安微电子技术研究所

申请日：2023-11-29

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117727720A

主分类号：H01L23/48

分类号：H01L23/48;H01L23/488;H01L25/00;H01L21/50;H01L21/60;H01L21/768

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本发明涉及半导体封装技术领域，涉及一种基于TSV晶圆重构多芯片立体集成微模组及制备方法，包括TSV硅基板和埋置在硅基板正背面的若干芯片；TSV硅基基板内制备导电通孔，导电通孔与硅基衬底之间制备绝缘层；TSV通孔采用导电材料填充，TSV硅基板正背面设计凹槽用于埋置芯片，每个凹槽埋置对应的芯片，基板正面和背面的表面依次制备和TSV通孔互联电连通的背面多层金属布线层和凸下金属层和正背面对外连微凸点，形成多芯片立体集成结构水平方向的电连接；实现多个芯片高密度、高性能、高可靠的TSV立体堆叠集成，解决了因随着堆叠层数增加导致键合引线的扇出面积呈指数级增长的问题，同时降低多层芯片Flipchip模组立体集成后模组高度，提升TSV模组立体集成密度。

主权项：1.一种基于TSV晶圆重构多芯片立体集成微模组，其特征在于，由封装基板和若干个多芯片集成结构通过倒装FC键合而成；多芯片集成结构包括含有TSV硅基的基板，基板上开设有多个贯穿基板的导电通孔，导电通孔的内侧壁设有孔壁介质绝缘层，导电通孔内部填充有导电介质；基板的正面间隔设置有若干正面凹槽，正面凹槽中埋置有正面芯片，且正面芯片的引脚朝向基板正面，正面凹槽与正面芯片一一对应；基板的背面间隔设置有若干背面凹槽，背面凹槽中埋置有背面芯片，背面凹槽与背面芯片一一对应，正面凹槽的位置与背面凹槽的位置相同；背面芯片的正面焊盘朝向基板背面；正面芯片和背面芯片合称为嵌入芯片，嵌入芯片的正面和侧壁均与正面凹槽之间填充有CTE有机介质，正面多层金属布线层的最内层穿过CTE介质膜与导电通孔连接，基板的背面多层金属布线层的最内层穿过CTE有机介质膜与背面芯片的焊盘电连通；基板的正面多层金属布线层、正面焊盘和背面多层金属布线层通过导电通孔进行电连接；TSV通孔连通多层金属布线层与芯片正面焊盘相连接、背面凸点下金属层和背面对外电引脚，形成多芯片TSV立体集成结构水平方向的电连接；若干个多芯片集成结构通过相邻的正面对外电引脚和背面对外电引脚直接堆叠键合形成电连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安微电子技术研究所 一种基于TSV晶圆重构多芯片立体集成微模组及制备方法

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