申请/专利权人：上海兆方半导体有限公司

申请日：2024-01-22

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117878098A

主分类号：H01L23/544

分类号：H01L23/544;H01L23/538;G03F7/20;G03F9/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明提供一种用于硅通孔TSV套刻标记，包括TSV前层和TSV当层。TSV前层包括两个X向和两个Y向的条状图形，经光刻工艺和蚀刻工艺在半导体衬底上形成凹型沟槽，作为TSV套刻标记的基准。TSV当层部分为标准TSV（圆形结构）的内切（或外切）正多边形，被所述条状图形包围，所述正多边形的边数≥8，且为4的整数倍，所述正多边形包含两条X向边和两条Y向边。基于所述正多边形的X向边与所述X向的条状图形的位置关系，以及所述正多边形的Y向边与所述Y向的条状图形的位置关系，可实现TSV当层图形与TSV前层图形的对准。本发明提供的TSV套刻标记中TSV当层的图形与标准TSV图形较为接近，可避免因图形和特征尺寸差异而带来的TSV孔深度和孔深宽比的负载效应。

主权项：1.一种用于硅通孔TSV套刻标记，所述套刻标记制造在半导体衬底上；其特征在于，所述套刻标记包括TSV前层和TSV当层两部分；所述TSV前层为两条X向条状图形和两条Y向条状图形，所述条状图形为设置在半导体衬底上的凹型沟槽；所述TSV当层为标准TSV的内切或外切正多边形，所述正多边形为设置在半导体衬底上的光阻，所述正多边形具有两条X向边和两条Y向边。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海兆方半导体有限公司 一种用于硅通孔TSV套刻标记

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