申请/专利权人：杭州傲芯科技有限公司

申请日：2023-07-19

公开（公告）日：2024-02-23

公开（公告）号：CN220526923U

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L27/02;H01L27/092

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.02.23#授权

摘要：本实用新型提供的一种预防寄生效应的版图隔离结构，包括P型衬底、设于P型衬底中上部的有源区；有源区包括从左到右依次设置的P型阱区、N型阱区和P型阱区，N型阱区设于P型衬底的中部，且N型阱区的上表面设有掺杂的N+区，P型阱区设于N型阱区的两侧，且P型阱区的上表面设有掺杂的P+区；掺杂的P+区和掺杂的N+区的顶部包括至少一个连接孔，每个连接孔相互连接，且掺杂的P+区和掺杂的N+区经连接孔相互连接。P型阱区的电极由掺杂的P+区引出，N型阱区的电位由掺杂的N+区引出，通过将有源区中三个阱区的电极短接，以抑制闩锁效应以及隔离和屏蔽器件或模块之间的噪声及游离电子，从而提高电路的可靠性。

主权项：1.一种预防寄生效应的版图隔离结构，其特征在于，包括：P型衬底和设于P型衬底中上部的有源区；所述有源区包括从左到右依次设置的P型阱区、N型阱区和P型阱区，所述N型阱区设于P型衬底的中部，且N型阱区的上表面设有掺杂的N+区，所述P型阱区设于N型阱区的两侧，且P型阱区的上表面设有掺杂的P+区，所述掺杂的N+区和所述掺杂的P+区相互连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 杭州傲芯科技有限公司 一种预防寄生效应的版图隔离结构

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