申请/专利权人:应用材料股份有限公司
申请日:2022-07-07
公开(公告)日:2024-02-27
公开(公告)号:CN117616537A
主分类号:H01J37/08
分类号:H01J37/08;H01J37/317;H01J37/16;H01J27/02
优先权:["20210727 US 17/443,684"]
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.03.15#实质审查的生效;2024.02.27#公开
摘要:公开一种用于延长间接加热阴极IHC离子源中的排斥极寿命的系统。所述系统包括一种其中排斥极的背表面已被成型为减少电短路可能性的IHC离子源。与排斥极的中心附近的分离距离相比,排斥极的背表面与排斥极后面的腔室壁之间的分离距离沿其外边缘增大。此分离距离会降低所沉积材料将剥落并使排斥极短接到腔室壁的可能性。此外,在某些实施例中,排斥极的背表面与排斥极的中心附近的腔室壁之间的分离距离保持不变,以使从腔室排出的气流最小化。排斥极的背表面可为锥形的、阶梯式的或弧形的,以实现这些标准。
主权项:1.一种离子源,包括:腔室,包括多个壁;阴极,设置在所述腔室的一端上;排斥极,设置在所述腔室的第二端上,所述排斥极包括排斥极杆及排斥极头,所述排斥极杆通过所述第二端中的开口,所述排斥极头设置在所述腔室内且附接到所述排斥极杆;其中所述排斥极头的背表面具有穹顶形状。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 应用材料股份有限公司 用于间接加热阴极离子源的成型排斥极
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