申请/专利权人：北京科技大学

申请日：2023-06-28

公开（公告）日：2024-02-27

公开（公告）号：CN116705889B

主分类号：H01L31/101

分类号：H01L31/101;H01L31/18;H01L31/0352;H01L31/0236;B82Y20/00;B82Y40/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.02.27#授权;2023.09.22#实质审查的生效;2023.09.05#公开

摘要：本发明公开了梯度应变调控的范德华异质结型光电探测器及其制备方法，包括：源电极、半导体基底、二维层状材料、一维半导体纳米柱阵列、石墨烯层、绝缘层和漏电极；源电极设置在所述半导体基底上表面的一侧，一维半导体纳米柱阵列设置于半导体基底上表面图案化区域，绝缘层设置在半导体基底上表面远离源电极的另一侧以及一维半导体纳米柱阵列的间隙位置，二维层状材料置于一维半导体纳米柱阵列和绝缘层上，石墨烯层置于二维层状材料上，漏电极设置在所述石墨烯层上方。本发明具有一定的普适性，不仅局限于使用的几种材料，凡是可以构筑出类似结构的材料均可由此方法进行研究，拓宽了材料应变工程的研究范围。

主权项：1.梯度应变调控的范德华异质结型光电探测器，其特征在于，包括：源电极、半导体基底、二维层状材料、一维半导体纳米柱阵列、石墨烯层、绝缘层和漏电极；所述一维半导体纳米柱阵列为外延生长的一维氧化锌纳米柱阵列，且所述一维半导体纳米柱阵列中纳米柱的高度不同，设置的高度范围为50nm-2um；所述源电极设置在所述半导体基底上表面的一侧，所述一维半导体纳米柱阵列设置于所述半导体基底上表面图案化区域，所述绝缘层设置在所述半导体基底上表面远离所述源电极的另一侧以及所述一维半导体纳米柱阵列的间隙位置，所述二维层状材料置于所述一维半导体纳米柱阵列和所述绝缘层上，所述石墨烯层置于所述二维层状材料上，所述漏电极设置在所述石墨烯层上方。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京科技大学 梯度应变调控的范德华异质结型光电探测器及其制备方法

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