申请/专利权人：中国工程物理研究院应用电子学研究所

申请日：2023-07-20

公开（公告）日：2024-02-27

公开（公告）号：CN220544460U

主分类号：H01S5/028

分类号：H01S5/028;H01S5/10;C23C14/24

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.02.27#授权

摘要：本实用新型公开了一种半导体激光器用腔面镀膜的陪片，所述陪片与芯片连接的一面设有阻隔件，所述阻隔件在芯片与所述陪片连接时阻隔陪片与芯片的触碰，所述陪片沿芯片的腔长方向的长度短于待镀膜芯片，所述陪片与芯片的腔长方向垂直的边长度与待镀膜芯片相等。本实用新型既避免了芯片表面与陪片挤压带来的压痕与损伤，又解决了芯片之间膜层粘连的问题，极大地提高了半导体激光器的表面质量与可靠性。

主权项：1.一种半导体激光器用腔面镀膜的陪片，其特征在于，所述陪片与芯片连接的一面设有阻隔件，所述阻隔件在芯片与所述陪片连接时阻隔陪片与芯片的触碰，所述陪片沿芯片的腔长方向的长度短于待镀膜芯片，所述陪片与芯片的腔长方向垂直的边长度与待镀膜芯片相等。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国工程物理研究院应用电子学研究所 一种半导体激光器用腔面镀膜的陪片

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