申请/专利权人：广东省大湾区集成电路与系统应用研究院

申请日：2023-12-11

公开（公告）日：2024-03-01

公开（公告）号：CN117636935A

主分类号：G11C11/16

分类号：G11C11/16

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.19#实质审查的生效;2024.03.01#公开

摘要：一种参考单元写入电路、写入方法及STT‑MRAM。所述参考单元写入电路适于在所述STT‑MRAM上电稳定后、对所述STT‑MRAM读写前，对所述STT‑MRAM中参考单元执行写入操作。采用上述方案，可以降低对参考单元进行写入所需功耗。

主权项：1.一种参考单元写入电路，适于对STT-MRAM中参考单元执行写入操作；其特征在于，所述参考单元写入电路，适于在所述STT-MRAM上电稳定后、对所述STT-MRAM读写前，对所述STT-MRAM中参考单元执行写入操作。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 参考单元写入电路、写入方法及STT-MRAM

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