申请/专利权人：江苏雅克科技股份有限公司;江苏先科半导体新材料有限公司

申请日：2023-12-07

公开（公告）日：2024-03-01

公开（公告）号：CN117626217A

主分类号：C23C16/40

分类号：C23C16/40;C23C16/455

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.19#实质审查的生效;2024.03.01#公开

摘要：本发明公开了一种基于新型前驱体和PE‑ALD的氧化铪薄膜的制备方法，包括：将基底放置在ALD设备中，设定沉积温度范围；将前驱体CpHfNMe23引入到ALD设备的反应室内，前驱体与预先通入的等离子体在设定的沉积温度范围内进行反应；CpHfNMe23前驱体在反应室内按照设定的沉积温度范围进行原子层沉积，通过控制GPC，使前驱体在基底表面生成氧化铪薄膜。本发明通过使用特定前驱体和等离子体增强原子层沉积方法，制备的氧化铪薄膜具备高纯度、热稳定性好、元素分布均匀、高介电常数等诸多优点。

主权项：1.一种基于新型前驱体和PE-ALD的氧化铪薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：将基底放置在ALD设备中，设定沉积温度范围；S2：将CpHfNMe23前驱体引入到ALD设备的反应室内，与预先通入的等离子体在设定的沉积温度范围内进行反应；S3：CpHfNMe23前驱体在反应室内按照设定的沉积温度范围进行原子层沉积，通过控制GPC，使CpHfNMe23前驱体在基底表面生成氧化铪薄膜。

全文数据：

权利要求：

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