申请/专利权人：华南理工大学

申请日：2023-12-18

公开（公告）日：2024-03-01

公开（公告）号：CN117637894A

主分类号：H01L31/101

分类号：H01L31/101;H01L31/0304;H01L31/18

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.19#实质审查的生效;2024.03.01#公开

摘要：本发明公开了一种超薄势垒的增强型异质结紫外光电探测器及其制备方法，涉及半导体领域，针对现有技术中难以同时实现低暗电流和高光电流等问题提出本方案。氮化镓本征层、氮化铝空间隔离层和氮化铝镓势垒层组成AlGaNGaN异质结，再利用钝化层降低氮化铝镓势垒层的表面电位而得到区域化的2DEG。优点在于，基于超薄势垒的异质结紫外探测器能够较大程度简化工艺，有效降低了工艺复杂度和制造成本，同时基于异质结结构的导电沟道可以有效减少光生载流子的表面散射效应和库伦散射效应，具有低暗电流、高光电导增益、高可靠性及易集成等优点，在军事和民用领域拥有巨大的潜力和应用前景。

主权项：1.一种超薄势垒的增强型异质结紫外光电探测器，其特征在于，包括从下至上依次层叠设置的衬底101、氮化铝镓缓冲层102、氮化镓本征层103、氮化铝空间隔离层104和氮化铝镓势垒层105；所述氮化镓本征层103、氮化铝空间隔离层104和氮化铝镓势垒层105组成AlGaNGaN异质结；所述AlGaNGaN异质结上端面分别在两端部设置平行延伸的电极106；在电极106上包覆有钝化层107，钝化层107中部设有接触孔裸露出电极106上端面的中部位置；所述氮化镓本征层103和氮化铝空间隔离层104界面处形成2DEG，所述2DEG存在于钝化层107下方；所述2DEG利用钝化层107降低氮化铝镓势垒层105的表面电位而得到。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华南理工大学 一种超薄势垒的增强型异质结紫外光电探测器及其制备方法

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