申请/专利权人：霍尼韦尔国际公司

申请日：2023-08-10

公开（公告）日：2024-03-08

公开（公告）号：CN117677270A

主分类号：H10N30/02

分类号：H10N30/02;H10N30/88

优先权：["20220901 US 17/929,056"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.26#实质审查的生效;2024.03.08#公开

摘要：本公开提供了一种制造方法，该制造方法用于当经受暴露于高能电子诸如在电子束辐照期间发射的高能电子时，保护在半导体器件上的电子部件。一种示例性方法可包括掺杂一个或多个引出区，从而提供到半导体器件的电子部件的电连接。此外，该方法还可包括通过用第二掺杂物掺杂半导体衬底的表面来形成电子部件以电连接到一个或多个引出区中的至少一个引出区。进一步，该方法可包括在半导体衬底的表面上形成与一个或多个引出区基本上对准的保护阻隔层。该方法还可包括通过用第三掺杂物掺杂半导体的表面来形成基本上覆盖半导体的除了引出区之外的整个表面的一个或多个封盖区。

主权项：1.一种制造方法，所述制造方法用于保护半导体器件的电子部件，所述方法包括：使用第一掺杂物在半导体衬底的表面上掺杂一个或多个引出区，其中所述一个或多个引出区形成接触点，所述接触点用于提供到所述半导体器件的所述电子部件的电连接；通过用第二掺杂物掺杂所述半导体衬底的所述表面来形成电连接到所述一个或多个引出区中的至少一个引出区的所述电子部件，在所述半导体衬底的所述表面上形成与所述一个或多个引出区基本上对准的保护阻隔层；以及通过用第三掺杂物掺杂所述半导体的所述表面来形成一个或多个封盖区，其中所述一个或多个封盖区基本上覆盖所述半导体的除了所述一个或多个引出区之外的整个表面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 霍尼韦尔国际公司 用于施加封盖层以保护半导体器件的电子部件免受电子束辐照的方法

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