申请/专利权人：希捷科技有限公司

申请日：2014-02-10

公开（公告）日：2024-03-08

公开（公告）号：CN111445942B

主分类号：G11C16/34

分类号：G11C16/34

优先权：["20130210 US 61/762,955"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.08#授权;2020.08.18#实质审查的生效;2020.07.24#公开

摘要：本申请涉及基于保留漂移历史的非易失性存储器读取阈值最优化。SSD控制器动态调整NVM中的读取阈值以减少由于装置阈值电压分布偏移而导致的错误，因此改善了诸如SSD的存储子系统的性能、可靠性和或成本。保留漂移时钟使用在一个或多个NVM芯片上的一个或多个参考页面或ECC单元或块作为随着时间温度参考的读取阈值，并且使用这些值的函数作为随着时间温度的漂移的测量。在一些初始时间，一个或多个参考页面被程序化且为一个或多个参考页面中的每一个测量初始读取阈值。在一些实施方式中，读取阈值在以下一个或多个中被平均：同一芯片上的所有参考页面；以及IO装置中相同的一个或多个芯片中的所有参考页面。

主权项：1.一种用于基于保留漂移历史的非易失性存储器读取阈值最优化的方法，包括：选择保留漂移预测器或保留漂移方案，以用于从保留漂移历史来预测非易失性存储器NVM中的最佳读取阈值电压；读取与所述NVM的多个页面组的参考单元相关联的所述保留漂移历史；以及至少基于所选择的保留漂移预测器或保留漂移方案和所读取的保留漂移历史来预测所述多个页面组中的至少一些的最佳读取阈值电压的值。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 希捷科技有限公司 基于保留漂移历史的非易失性存储器读取阈值最优化

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