申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司

申请日：2020-11-04

公开（公告）日：2024-03-08

公开（公告）号：CN112382609B

主分类号：H01L21/768

分类号：H01L21/768

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.08#授权;2021.03.09#实质审查的生效;2021.02.19#公开

摘要：本发明公开了一种双大马士革工艺方法，包括：步骤一、在半导体衬底上依次形成第一层间膜、沟槽刻蚀停止层和第二层间膜，进行选择性刻蚀形成通孔的开口；步骤二、旋涂形成TEOS层并进行固化；步骤三、在所述TEOS层表面旋涂形成BARC层；步骤四、进行回刻工艺形成由通孔的开口中的TEOS层组成的顶部表面高度一致的光阻塞保护层；步骤五、形成光刻胶图形将沟槽形成区域打开；步骤六、以光刻胶图形为掩膜以及以沟槽刻蚀停止层为停止层对第二层间膜进行刻蚀形成沟槽；步骤七、去除光刻胶图形和光阻塞保护层。本发明能提高光阻塞保护层的高度均一性，提高沟槽刻蚀工艺窗口，防止产生金属铜损伤，特别是能防止深度较深的顶层铜损伤。

主权项：1.一种双大马士革工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成第一层间膜、沟槽刻蚀停止层和第二层间膜，进行选择性刻蚀形成通孔的开口，所述通孔穿过所述第二层间膜、所述沟槽刻蚀停止层和所述第一层间膜；步骤二、旋涂形成TEOS层并对所述TEOS层进行固化，所述TEOS层将所述通孔的开口完全填充并会延伸到所述通孔的开口外的所述第二层间膜的表面，TEOS的流动性使所述TEOS层具有平坦表面且实现对所述通孔的开口的均匀填充；步骤三、在所述TEOS层表面旋涂形成BARC层；步骤四、进行回刻工艺形成顶部表面高度一致的光阻塞保护层，所述回刻工艺将所述BARC层都去除以及将所述通孔的开口外的所述TEOS层都去除以及将所述通孔的开口中的所述TEOS层的顶部表面刻蚀到低于所述第二层间膜的顶部表面，所述光阻塞保护层由保留于所述通孔的开口中的所述TEOS层组成；步骤五、形成光刻胶图形将沟槽形成区域打开，所述通孔的开口位于所述沟槽形成区域中；步骤六、以所述光刻胶图形为掩膜以及以所述沟槽刻蚀停止层为停止层对所述第二层间膜进行刻蚀形成沟槽；步骤七、去除所述光刻胶图形和所述光阻塞保护层。

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权利要求：

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