申请/专利权人：华邦电子股份有限公司

申请日：2019-11-12

公开（公告）日：2024-03-12

公开（公告）号：CN112864185B

主分类号：H10B63/00

分类号：H10B63/00;H10N70/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.12#授权;2021.06.15#实质审查的生效;2021.05.28#公开

摘要：本发明提供一种电桥式随机存取存储器及其制造方法。此电桥式随机存取存储器包括底电极、金属间介电质、电阻转态组件以及顶电极。其中底电极位于基板上，金属间介电质位于底电极上。电阻转态组件位于底电极上和位于金属间介电质中，且具有倒T型的剖面。顶电极位于电阻转态组件以及金属间介电质上。本发明的电桥式随机存取存储器可以限制导电路径形成位置，还可以良好控制高电阻状态和低电阻状态之间的转换，并且降低电桥式随机存取存储器中不同的存储单元的操作变异性，进而提高最终产品的良率及可靠度。

主权项：1.一种电桥式随机存取存储器，其特征在于，包括：一底电极，位于一基板上；一金属间介电质，位于该底电极上，其中该金属间介电质包括位于该底电极上的一第一介电层，以及位于该第一介电层上方且覆盖该第一介电层的一第二介电层；一电阻转态组件，位于该底电极上和位于该金属间介电质中，该电阻转态组件具有倒T型的剖面，其中该电阻转态组件包括位于该底电极上的一第一电阻转态层，以及位于该第一电阻转态层上的一第二电阻转态层，且该第一电阻转态层位于该第一介电层中，该第二电阻转态层位于该第二介电层中，其中该第二电阻转态层的下表面与该第一电阻转态层的上表面的接触面积小于该第一电阻转态层的该上表面的面积；以及一顶电极，位于该电阻转态组件以及该金属间介电质上，其中该第一电阻转态层与该底电极的接触面积等於该第二电阻转态层与该顶电极的接触面积。

全文数据：

权利要求：

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