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【发明授权】一种双信号探针策略的分子印迹电化学传感器的制备方法及其应用_常州大学_202210903400.8 

申请/专利权人:常州大学

申请日:2022-07-26

公开(公告)日:2024-03-12

公开(公告)号:CN115184431B

主分类号:G01N27/327

分类号:G01N27/327;G01N27/48;G01N33/68

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.03.12#授权;2022.11.01#实质审查的生效;2022.10.14#公开

摘要:本发明属于分析化学和电化学技术领域,公开了一种双信号探针策略的分子印迹电化学传感器的制备方法及其应用。将第一种模板分子IgG通过金硫键固定到普鲁士蓝@金纳米粒子氧化石墨烯丝网印刷碳电极上,得到,将第二种模板分子IgM通过金硫键固定到多壁碳纳米管‑硫堇‑金纳米粒子牛血清白蛋白IgG普鲁士蓝@金纳米粒子氧化石墨烯氧化石墨烯丝网印刷碳电极上,电化学聚合吡咯,用洗脱液将IgG、IgM洗脱后,形成与这两种模板分子在三维空间上互补的印迹空腔,得到分子印迹电化学传感器。本发明所述的分子印迹电化学传感器能够同时检测IgG和IgM。

主权项:1.一种双信号探针策略的分子印迹电化学传感器,其特征在于,将第一种模板分子IgG通过金硫键固定到普鲁士蓝@金纳米粒子氧化石墨烯丝网印刷碳电极PB@AuNPsGOSPCE上,得到IgGPB@AuNPsGOSPCE,将第二种模板分子IgM通过金硫键固定到多壁碳纳米管-硫堇-金纳米粒子牛血清白蛋白IgG普鲁士蓝@金纳米粒子氧化石墨烯氧化石墨烯丝网印刷碳电极MWCNTs-TH-AuNPsBSAIgGPB@AuNPsGOSPCE上,得到IgMMWCNTs-TH-AuNPsBSAIgGPB@AuNPsGOSPCE;最后,电化学聚合吡咯得到PPyIgMMWCNTs-TH-AuNPsBSAIgGPB@AuNPsGOSPCE,用洗脱液将IgG、IgM洗脱后,形成与这两种模板分子在三维空间上互补的印迹空腔,得到分子印迹电化学传感器。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 常州大学 一种双信号探针策略的分子印迹电化学传感器的制备方法及其应用

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