申请/专利权人：拉姆伯斯公司

申请日：2022-06-21

公开（公告）日：2024-03-15

公开（公告）号：CN117716428A

主分类号：G11C11/406

分类号：G11C11/406;G11C11/408

优先权：["20210630 US 63/216,746","20210709 US 63/220,210"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.15#公开

摘要：DRAM单元需要被周期性地刷新，以保持被存储在DRAM单元中的电荷。对于所有DRAM单元，保留时间通常不相同，但是遵循具有最高电荷损失的单元的保留时间与具有最低电荷损失的单元的保留时间之间具有多个数量级的大小差异的分布。基于单元在特定字线上所需要的最小保留时间，对这些字线使用不同的刷新间隔。存储器控制器不跟踪刷新地址。在DRAM设备的初始化之后，与以相同的刷新间隔刷新所有字线相比，存储器控制器发出更少数目的刷新命令。

主权项：1.一种动态随机存取存储器DRAM设备，包括：命令接口，用于接收刷新命令；用于响应于所述刷新命令而确定是否执行第一类型的刷新操作和第二类型的刷新操作中的所选择的类型的刷新操作的电路装置；多个指示符位，每个所述指示符位与多组字线中的相应组字线相关联，每组所述字线包括多个字线；为了维持数据保留，在所选择的数目的刷新时段的跨度期间：所述命令接口接收总数目的所述刷新命令；所述DRAM执行第一数目的所述第一类型的刷新操作；所述DRAM执行第二数目的所述第二类型的刷新操作；所述第二数目基于被设置为第一值的所述多个指示符位的第三数目，所述第二数目小于所述第一数目；以及字线地址生成电路装置，用于响应于所述第一类型的刷新操作而在第一内部生成的序列中逐步地选择所述多组字线中的相应组字线，并且响应于所述第二类型的刷新操作而在第二内部生成的序列中逐步地选择所述多组字线中的、与被设置为所述第一值的相应的指示符位相关联的相应组字线。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 拉姆伯斯公司 具有刷新间隔的主字线粒度的DRAM刷新控制

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD