申请/专利权人:美光科技公司
申请日:2019-12-12
公开(公告)日:2024-04-09
公开(公告)号:CN111326188B
主分类号:G11C11/406
分类号:G11C11/406;G11C11/408;G11C11/4094
优先权:["20181214 US 16/220,215"]
专利状态码:有效-授权
法律状态:2024.04.09#授权;2020.07.17#实质审查的生效;2020.06.23#公开
摘要:描述了一种用于半导体存储器中的刷新操作的设备和方法以及用于其的系统。所述系统包含例如存储器库中的存储器单元,所述存储器单元在自刷新操作或自动刷新操作期间被刷新。所述自刷新操作包含与所述自动刷新操作不同的刷新激活次数。所述系统进一步包含行控制电路,所述行控制电路被配置成基于从刷新控制电路接收到的刷新控制信号来刷新所述存储器库中的所述存储器单元,所述刷新控制信号是由所述刷新控制电路基于由所述刷新控制电路从命令控制电路接收的内部控制信号而提供。所述自动刷新操作包含每个库刷新操作或所有库刷新操作,所述每个库刷新操作被配置成刷新对应存储器库,所述所有库刷新操作被配置成刷新所有存储器库。
主权项:1.一种用于刷新操作的系统,其包括:存储器阵列,所述存储器阵列包含多个存储器库;命令地址输入电路,所述命令地址输入电路被配置成提供用于刷新操作的命令;命令控制电路,所述命令控制电路包括第一延迟电路和第二延迟电路,其中所述命令控制电路被配置成接收所述命令,其中所述命令控制电路进一步被配置成提供基于振荡器信号的自刷新内部控制信号、响应于接收到的命令的第一自动刷新内部控制信号、以及基于所述第一自动刷新内部控制信号的第二自动刷新内部控制信号,所述第二自动刷新内部控制信号仅由所述第一延迟电路选择性地延迟或由所述第一延迟电路和所述第二延迟电路两者选择性地延迟;刷新控制电路,所述刷新控制电路被配置成响应于所述自刷新内部控制信号、所述第一自动刷新内部控制信号和所述第二自动刷新内部控制信号而提供第一刷新控制信号;以及行控制电路,所述行控制电路被配置成接收所述第一刷新控制信号,激活所述多个存储器库中的一个存储器库的至少一个字线,并响应于所述第一刷新控制信号而提供第二刷新控制信号。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 美光科技公司 用于半导体存储器中的刷新操作的设备和方法
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