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【发明公布】考虑基片凹槽影响的表面粘贴式光纤光栅应变修正方法_武汉理工大学_202311618550.5 

申请/专利权人:武汉理工大学

申请日:2023-11-28

公开(公告)日:2024-03-15

公开(公告)号:CN117704986A

主分类号:G01B11/16

分类号:G01B11/16

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.04.02#实质审查的生效;2024.03.15#公开

摘要:本发明涉及一种考虑基片凹槽影响的表面粘贴式光纤光栅应变修正方法,根据凹槽胶层、保护涂层、纤芯的横截面参数,建立纤芯‑保护涂层‑凹槽胶层的等效理论模型,计算保护涂层和凹槽胶层的等效剪应力分布公式;以凹槽胶层‑基片界面为剪力耦合平面,根据凹槽和基片的横截面参数确定剪力集中系数,确定凹槽胶层和基片的剪力传递关系;根据基片的横截面参数,建立基片‑外胶层‑基体的应变传递理论模型,计算各层的剪应力分布公式;基于剪滞理论和变形协调关系,结合剪应力分布公式,计算考虑基体凹槽影响的表面粘贴式光纤光栅应变修正方法。本发明考虑了凹槽的弓形半径和开口宽度参数,得到光纤光栅传感器与被测结构的真实应变状态的精确映射关系。

主权项:1.一种考虑基片凹槽影响的表面粘贴式光纤光栅应变修正方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一:以凹槽胶层-基片界面为分界,根据凹槽胶层、保护涂层、纤芯的横截面参数,建立纤芯-保护涂层-凹槽胶层的等效理论模型,计算保护涂层和凹槽胶层的等效剪应力分布公式;步骤二:以凹槽胶层-基片界面为剪力耦合平面,根据凹槽和基片的横截面参数确定剪力集中系数,确定凹槽胶层和基片的剪力传递关系;步骤三:根据基片的横截面参数,建立基片-外胶层-基体的应变传递理论模型,计算基片、外胶层的剪应力分布公式;步骤四:基于剪滞理论和变形协调关系,结合步骤一、二、三中的剪应力分布公式,计算考虑基体凹槽影响的表面粘贴式光纤光栅应变修正方法。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 武汉理工大学 考虑基片凹槽影响的表面粘贴式光纤光栅应变修正方法

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