申请/专利权人：浙江大学;浙江大学杭州国际科创中心;浙江创芯集成电路有限公司

申请日：2023-12-15

公开（公告）日：2024-03-15

公开（公告）号：CN117712172A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/06;H01L29/40

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.02#实质审查的生效;2024.03.15#公开

摘要：本发明公开一种带有双浮空场限环的超结结构LDMOS器件。本发明包括衬底区、超结区、源极区、漏极区和栅极区，在所述超结区的上方覆盖有场板，并在超结区采用双浮空场限环结构，用于减缓超结区PN结掺杂时的曲率效应，并同时改变漏极电场分布。本发明相较于传统超结LDMOS结构，减缓了超结区PN结掺杂时的曲率效应，并同时改变了漏极电场分布，使超结区部分的电场分布变得更加均匀和分散，避免电场过度集中而发生击穿现象。在超结区域下方使用缓冲区，消除由于引入P型衬底带来的电荷失配问题，从而进一步提高器件的击穿电压BV。

主权项：1.一种带有双浮空场限环的超结结构LDMOS器件，包括衬底区、超结区、源极区、漏极区和栅极区，其特征在于：在所述超结区的上方覆盖有场板，并在超结区采用双浮空场限环结构，用于减缓超结区PN结掺杂时的曲率效应，并同时改变漏极电场分布。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浙江大学;浙江大学杭州国际科创中心;浙江创芯集成电路有限公司 一种带有双浮空场限环的超结结构LDMOS器件

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