申请/专利权人:深圳市中兴微电子技术有限公司
申请日:2019-12-24
公开(公告)日:2024-03-15
公开(公告)号:CN113037370B
主分类号:H04B10/079
分类号:H04B10/079
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2024.03.15#授权;2022.12.09#实质审查的生效;2021.06.25#公开
摘要:本发明提供了一种BOSA接收功率校准方法及装置,其中,BOSA接收功率校准方法包括:根据BOSA参数信息确定校准类型;根据以下对象确定校准参数:校准类型、第一采样信息、第二采样信息;其中,第一采样信息用于指示预设的采样点中测量的测量ADC信息,第二采样信息用于指示预设的采样点对应的接收光功率信息;根据校准参数确定光功率信息与ADC信息之间的关系,并根据光功率信息与ADC信息之间的关系进行双向光学子系统BOSA接收功率校准。通过本发明,解决了相关技术中BOSA接收功率校准过程中,由于未能对于可能影响光功率信息和ADC信息的因素全面考量而导致BOSA接收功率校准不准确的问题,以达到改善BOSA接收功率校准准确性的效果。
主权项:1.一种双向光学子系统BOSA接收功率校准方法,其特征在于,包括:根据BOSA参数信息确定校准类型;根据以下对象确定校准参数:所述校准类型、第一采样信息、第二采样信息;其中,所述第一采样信息用于指示预设的采样点中测量的测量ADC信息,所述第二采样信息用于指示预设的所述采样点对应的接收光功率信息;根据所述校准参数确定光功率信息与ADC信息之间的关系,并根据所述光功率信息与所述ADC信息之间的所述关系进行双向光学子系统BOSA接收功率校准。
全文数据:
权利要求:
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