申请/专利权人：波音公司

申请日：2020-07-07

公开（公告）日：2024-03-15

公开（公告）号：CN112198920B

主分类号：G05F1/565

分类号：G05F1/565;G05F1/567

优先权：["20190708 US 62/871,532","20190930 US 16/588,315"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.15#授权;2022.06.24#实质审查的生效;2021.01.08#公开

摘要：公开了补偿初级FD‑SOI装置的方法以及自优化电路。用于FD‑SOI装置的自优化电路包括静态偏置电路、剂量计、参考电路、放大器、电压源和反馈电路。静态偏置电路提供第一偏置。剂量计包括剂量计FD‑SOI装置，并生成对初级FD‑SOI装置中的参数偏移敏感的剂量计电压。参考电路提供参考电压。放大器连接到剂量计和参考电路，并在静态偏置电路的输出处提供第二偏置，该第二偏置与剂量计电压和参考电压之间的差成比例。电压源产生第一偏置和第二偏置参考的驱动电压。反馈电路根据第一偏置和第二偏置来调节向剂量计FD‑SOI装置的阱的驱动电压的供应。

主权项：1.一种自优化电路，用于具有掩埋氧化物层和设置在所述掩埋氧化物层下方的初级阱的初级全耗尽型绝缘体上硅FD-SOI装置，所述自优化电路包括：静态偏置电路，被配置为提供第一偏置；总电离剂量TID剂量计，包括剂量计FD-SOI装置，其中，所述TID剂量计被配置为生成表示所述初级全耗尽型绝缘体上硅FD-SOI装置中的参数偏移的剂量计电压；参考电路，被配置为提供参考电压；放大器，连接至所述TID剂量计和所述参考电路，其中，所述放大器被配置为在所述静态偏置电路的输出处提供第二偏置，并且其中，所述第二偏置与所述剂量计电压和所述参考电压之间的差成比例；电压源，被配置为产生所述第一偏置和所述第二偏置参考的驱动电压；和反馈电路，被配置为基于所述第一偏置和所述第二偏置的组合来调节施加到所述剂量计FD-SOI装置的阱的驱动电压的供应。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 波音公司 补偿初级FD-SOI装置的方法以及自优化电路

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