申请/专利权人：江苏林洋太阳能有限公司

申请日：2023-12-19

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117727833A

主分类号：H01L31/18

分类号：H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/02;H01L31/068

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本发明公开了一种具有选择性隧穿层厚度的钝化接触结构及其制备方法和应用，制备时，在硅基体的背表面沉积第一隧穿氧化硅层并覆盖具有空隙结构的致密盖板，空隙结构对应于非金属接触区域，除空隙结构之外的部分对应于金属接触区域；然后沉积第二隧穿氧化硅层，空隙结构能够允许第二隧穿氧化硅层沉积于非金属接触区域；移除致密盖板后沉积非晶硅层，进行退火处理，形成磷掺杂多晶硅层；本发明方法制成的钝化接触结构在金属接触区域实现薄隧穿氧化层结构，在非金属接触区域实现二次沉积获得的厚隧穿氧化层结构，在整体上改善了体系的不利因素，调控了影响电池效率的关键因素，大大地提高了电池效率。

主权项：1.一种具有选择性隧穿层厚度的钝化接触结构的制备方法，其特征在于，该制备方法包括：在硅基体的背表面沉积第一隧穿氧化硅层，控制所述第一隧穿氧化硅层的厚度小于等于2.0nm；在所述第一隧穿氧化硅层上覆盖具有空隙结构的致密盖板，所述空隙结构对应于非金属接触区域，所述致密盖板上除所述空隙结构之外的部分对应于金属接触区域；然后沉积第二隧穿氧化硅层，所述空隙结构能够允许所述第二隧穿氧化硅层沉积于非金属接触区域，且控制所述第二隧穿氧化硅层的厚度小于等于1.3nm，所述第一隧穿氧化硅层的厚度与所述第二隧穿氧化硅层的厚度之和不大于2.4nm且不小于1.4nm；移除所述致密盖板后沉积非晶硅层，进行退火处理，形成磷掺杂多晶硅层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 江苏林洋太阳能有限公司 一种具有选择性隧穿层厚度的钝化接触结构及其制备方法和应用

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