申请/专利权人：铠侠股份有限公司

申请日：2023-02-28

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117721440A

主分类号：C23C16/26

分类号：C23C16/26;G03F1/00;G03F1/82;G03F7/20;C23C16/44;C23C16/52

优先权：["20220916 JP 2022-148547"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本发明公开了一种目标处理方法，包括：将目标移入处理室中；使用包括碳的第一离子和包括碳的第一等离子体中的至少一者在目标上形成包括碳的膜；以及通过第二等离子体与膜之间的反应去除膜，其中，在不从处理室去除目标的情况下，在处理室中交替地多次执行膜的形成和膜的去除。

主权项：1.一种目标处理方法，包括：将目标移入处理室中；使用包括碳的第一离子和包括碳的第一等离子体中的至少一者在所述目标上形成包括碳的膜；以及通过第二等离子体与所述膜之间的反应去除所述膜，其中，在不从所述处理室去除所述目标的情况下，在所述处理室中交替地多次执行所述膜的形成和所述膜的去除。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 铠侠股份有限公司 目标处理设备和目标处理方法

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