申请/专利权人：西部数据技术公司

申请日：2022-05-08

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117730640A

主分类号：H10N50/10

分类号：H10N50/10;H10N50/85;H10N50/01;H10B61/00

优先权：["20210910 US 17/472,019"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：隧穿磁阻TMR器件具有经改进的用于下铁磁层或第一铁磁层的晶种层，从而使两个铁磁层不需要硼。例如RuAl合金等晶种层在沉积在无定形预晶种层上时具有带001纹理的B2结晶结构，这意味着001平面平行于TMR器件基板的表面。随后沉积的如CoFe合金等第一铁磁层以及通常为MgO的隧穿势垒层继承晶种层的001纹理。

主权项：1.一种隧穿磁阻TMR器件，所述TMR器件包括：基板；晶种层，所述晶种层具有位于所述基板上的结晶结构和001纹理；无硼第一铁磁层，所述无硼第一铁磁层具有位于所述晶种层上的BCC结晶结构和001纹理，所述第一铁磁层选自CoFe合金、霍伊斯勒Heusler合金和半霍伊斯勒Heusler合金。隧穿势垒层，所述隧穿势垒层具有位于所述第一铁磁层上的岩盐结晶结构或尖晶石结构以及001纹理；和第二铁磁层，所述第二铁磁层位于所述隧穿势垒层上；

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西部数据技术公司 具有改进的晶种层的隧穿磁阻（TMR）器件

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