申请/专利权人：华东光电集成器件研究所

申请日：2023-11-22

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117727618A

主分类号：H01L21/265

分类号：H01L21/265;H01L21/8234

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本发明公开一种开环运算放大器制备方法，包括以下步骤：在基片表面生长氧化层，利用光刻技术，离子注入、推阱热扩散方式在基片内形成P‑阱区域；通过离子注入、热扩散方式在P‑阱区域内形成多个N+源漏区域；通过离子注入、热扩散方式在P‑阱区域内形成N‑沟道区域；通过离子注入、热扩散方式在N‑沟道区域和P阱区内形成P+栅区；利用CVD化学气相淀积工艺，在氧化层表面形成保护膜层；测试动态电阻并修正至目标值；利用金属溅射、光刻、刻蚀工艺，将器件N+接触区互并联形成形成铝引线及压点。本方法通过调整沟道注入剂量、深度以及栅区剂量及深度，在满足器件功耗的情况下，降低器件的导通动态电阻，进而实现电路工作点稳定以及放大系数可控。

主权项：1.一种开环运算放大器制备方法，其特征在于包括以下步骤：1）在清洗后的硅晶基片（1）表面生长一层氧化层（2），以及利用光刻技术，离子注入、推阱热扩散方式在基片内形成P-阱区域；2）N+源漏制备，利用光刻技术，离子注入、热扩散方式在P-阱区域内形成多个N+源漏区域；3）N-沟道制备，利用光刻技术，离子注入、热扩散方式在P-阱区域内形成N-沟道区域，其中N+漏源区的结深超出N-沟道区域；4）P+栅区制备，利用光刻技术，离子注入、热扩散方式在N-沟道区域和P阱区内形成P+栅区；5）介质薄膜淀积，利用CVD化学气相淀积工艺，在氧化层表面形成保护膜层；6）测试动态电阻并修正至目标值；7）金属制备，利用金属溅射、光刻、刻蚀工艺，将器件N+接触区互并联形成源、漏极、栅极、电源及地线。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华东光电集成器件研究所 一种开环运算放大器制备方法

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