申请/专利权人:复旦大学
申请日:2023-12-19
公开(公告)日:2024-03-19
公开(公告)号:CN117727797A
主分类号:H01L29/786
分类号:H01L29/786;H01L29/24;H01L29/51;H01L29/423;H01L21/34;H01L21/44
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开
摘要:本发明公开一种兼具高速与低功耗的存算一体器件及其制备方法。该器件包括:SiSiO2衬底,其中,SiO2层形成有凹槽;底电极,形成在所述SiO2层的凹槽中,其顶部高出所述SiO2层的表面;铁电栅介质层,其为HfLaO铁电薄膜,形成在所述衬底上,覆盖所述底电极;沟道层,其为ITO薄膜,形成在所述HfLaO铁电薄膜上;源电极和漏电极,形成在所述ITO薄膜两侧。该器件具有高速和低功耗的优点,有望成为新一代人工突触的有力竞争者,在未来类脑芯片中得到应用。
主权项:1.一种兼具高速与低功耗的存算一体器件,其特征在于,包括:SiSiO2衬底,其中,SiO2层形成有凹槽;底电极,形成在所述SiO2层的凹槽中,其顶部高出所述SiO2层的表面;铁电栅介质层,其为HfLaO铁电薄膜,形成在所述衬底上,覆盖所述底电极;沟道层,其为ITO薄膜,形成在所述HfLaO铁电薄膜上;源电极和漏电极,形成在所述ITO薄膜两侧。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 复旦大学 一种兼具高速与低功耗的存算一体器件及其制备方法
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