申请/专利权人：天水天光半导体有限责任公司

申请日：2024-02-08

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117727696A

主分类号：H01L21/8249

分类号：H01L21/8249;H01L23/552;H01L27/07

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本发明公开了一种D触发器的制备方法及D触发器，涉及电子器件技术领域。通过优化埋层注入、改进埋层退火工艺和隔离扩散工艺，能够更准确的控制结深与横向扩散，通过工艺改进改善薄氧化层的质量，增加多晶硅、氮化硅工艺做为保护层与平坦化层提高抗辐射能力，提高MOS管栅氧质量提高产品抗电荷能力，形成金属钛钨合金层和铝层，Ti‑W高阻挡防止Al金属的电迁移，显著提高16位D触发器的抗辐照能力。

主权项：1.一种D触发器的制备方法，其特征在于，包括：对P型抛光片依次进行以下工序：埋层注入、外延制做、形成隔离层、形成集电极、形成N阱、形成P阱、第一快速退火、氮化硅剥离、薄氧化、去除薄氧化、栅氧化、形成多晶硅、形成NMOS管、形成PMOS管、去除氮化硅、第二快速退火、形成发射区、形成基区、形成电阻、接触孔光刻、金属互联线沉积、金属光刻、形成硼磷硅玻璃保护层和合金化处理；其中，在所述金属互联线沉积的过程包括：先对硅片的正面先溅射钛钨合金形成Ti-W合金层，再蒸发金属铝形成铝层；所述Ti-W合金层的厚度为900Å-1100Å，所述铝层的厚度为39000Å-41000Å；以质量分数计，所述钛钨合金中含有钛88%-92%和钨8%-12%。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 天水天光半导体有限责任公司 一种D触发器的制备方法及D触发器

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