申请/专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所

申请日：2023-12-11

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117728649A

主分类号：H02M1/00

分类号：H02M1/00;G01R19/04;G01R19/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本发明涉及集成电路技术领域，特别涉及一种DC‑DC中的低功耗电流检测电路。包括：第一运算放大器、第一NMOS管、第一电阻、第八HPMOS管、第八PMOS管、第七HNMOS管、第一HNMOS管、第二HNMOS管、第三HNMOS管、第四HNMOS管、第五HNMOS管、第六HNMOS管、第一比较器、第二运算放大器、第二NMOS管、第二电阻、第四PMOS管、第五PMOS管、第三运算放大器、第三NMOS管、第三电阻、第六NMOS管、第七NMOS管、第一LNMOS管、第二LNMOS管、第三LNMOS管、第四LNMOS管、第五LNMOS管、第六LNMOS管和第二比较器；本发明解决了在轻载时的效率问题，同时也使得开关转换器能够工作在低占空比电压变换，实现了大输入电压时可以输出小电压，并可以从PWM模式平滑切换至PFM模式。

主权项：1.一种DC-DC中的低功耗电流检测电路，其特征在于，包括：第一运算放大器、第一NMOS管、第一电阻、第八HPMOS管、第八PMOS管、第七HNMOS管、第一HNMOS管、第二HNMOS管、第三HNMOS管、第四HNMOS管、第五HNMOS管、第六HNMOS管、第一比较器、第二运算放大器、第二NMOS管、第二电阻、第四PMOS管、第五PMOS管、第三运算放大器、第三NMOS管、第三电阻、第六NMOS管、第七NMOS管、第一LNMOS管、第二LNMOS管、第三LNMOS管、第四LNMOS管、第五LNMOS管、第六LNMOS管和第二比较器；其中，所述第一运算放大器和第二运算放大器的正极均与前一级误差放大器产生的电压VC相连；所述第一运算放大器的负极与第一电阻的第一端和第一NMOS管的源极相连；所述第一运算放大器的输出端与第一NMOS管的栅极相连；所述第一NMOS管的漏极与斜坡补偿的输出端IRAMP、第八HPMOS管的源极相连；所述第八HPMOS管的漏极与第七HNMOS管的漏极、第八PMOS管的栅极、第八PMOS管的漏极相连；所述第八PMOS管的源极与电压VIN、第一HNMOS管的漏极相连；所述第一HNMOS管的源极与第二HNMOS管的漏极相连；所述第二HNMOS的源极与第三HNMOS管的漏极相连；所述第三HNMOS管的源极与第四HNMOS管的漏极相连；所述第四HNMOS管的源极与第五HNMOS管的漏极相连；所述第五HNMOS管的源极与第六HNMOS管的漏极相连；所述第六HNMOS管的源极与第七HNMOS管的源极、第一比较器的负极相连；所述第一电阻的第二端接地；所述第七HNMOS管的栅极、第一HNMOS管的栅极、第二HNMOS管的栅极、第三HNMOS管的栅极、第四HNMOS管的栅极、第五HNMOS管的栅极和第六HNMOS管的栅极与功率管上管的栅极共同相连；所述第一比较器的正极与开关节点SW相连；所述第一比较器的输出端与后级控制逻辑电路相连；所述第二运算放大器的负极与第二电阻的第一端、第二NMOS管的源极相连；所述第二NMOS管的漏极与第四PMOS管的漏极、第四PMOS管的栅极、第五PMOS管的栅极相连；所述第二电阻的第二端接地；所述第三运算放大器的正极与基准电压VREF_ZC相连，所述第三运算放大器的负极与第三电阻的第一端、第三NMOS管的源极相连，所述第三电阻的第二端接地；所述第三NMOS管的漏极与第五PMOS管的漏极、第六NMOS管的源极、第六NMOS管的栅极相连；所述第六NMOS管的漏极与第七NMOS管的源极、第七NMOS管的栅极相连；所述第七NMOS管的漏极与第一LNMOS管的源极、第二比较器的负极相连；所述第一LNMOS管的漏极与第二LNMOS管的漏极相连；所述第二LNMOS管的源极与第三LNMOS管的源极相连；所述第三LNMOS管的漏极与第四LNMOS管的漏极相连；所述第四LNMOS源极与第五LNMOS管的源极相连；所述第五LNMOS管的漏极与开关节点SW相连；所述第六LNMOS管、第五LNMOS管、第四LNMOS管、第三LNMOS管、第二LNMOS管和第一LNMOS管的栅极均与功率管下管的栅极相连；所述第六LNMOS管的源极与第二比较器的正极相连，所述第二比较器的输出端与后级控制逻辑电路相连。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国电子科技集团公司第五十八研究所 一种DC-DC中的低功耗电流检测电路

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