申请/专利权人:西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日:2023-12-15
公开(公告)日:2024-03-19
公开(公告)号:CN117721522A
主分类号:C30B15/14
分类号:C30B15/14;C30B15/20;C30B29/06
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开
摘要:本发明提供了一种直拉单晶炉加热装置及其工作方法、直拉单晶炉,属于半导体制造技术领域。直拉单晶炉加热装置,应用于直拉单晶炉,所述直拉单晶炉包括炉体,所述炉体内设置有坩埚,所述直拉单晶炉加热装置包括:设置在所述炉体的内壁和所述坩埚的外周之间的多个加热器,所述多个加热器在第一方向上间隔排布,所述第一方向与水平面垂直;控制器,用于根据单晶硅棒的生长长度控制所述多个加热器的功率和或位置。本发明的技术方案能够提高单晶硅棒的轴向氧含量的均一性。
主权项:1.一种直拉单晶炉加热装置,其特征在于,应用于直拉单晶炉,所述直拉单晶炉包括炉体,所述炉体内设置有坩埚,所述直拉单晶炉加热装置包括:设置在所述炉体的内壁和所述坩埚的外周之间的多个加热器,所述多个加热器在第一方向上间隔排布,所述第一方向与水平面垂直;控制器,用于根据单晶硅棒的生长长度控制所述多个加热器的功率和或位置。
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权利要求:
百度查询: 西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司 直拉单晶炉加热装置及其工作方法、直拉单晶炉
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