申请/专利权人：德州仪器公司

申请日：2017-11-29

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN111418061B

主分类号：H01L27/06

分类号：H01L27/06

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2020.10.13#实质审查的生效;2020.07.14#公开

摘要：IC100包含：RC滤波器；位于第一介电层120b下方的掺杂层120c；位于第一介电层上的多晶硅层，所述多晶硅层提供所述滤波器的电容器120的多晶硅板120a；以及一或多个MOSFET的一或多个栅极。第二介电层129位于所述多晶硅板上。输入触点131a'位于所述多晶硅板的一端，并且输出触点131b'位于相对端。金属层包含提供至少与输入触点的接触的金属132a和提供与输出触点的接触的金属132b。模拟电路130包含具有耦接到所述RC滤波器的IO节点的MOSFET。

主权项：1.一种在集成电路IC上形成电阻器电容器RC滤波器的方法，其包括：提供衬底，所述衬底至少具有半导体表面，其中第一介电层位于所述半导体表面上；在所述第一介电层下方形成掺杂扩散层；在所述第一介电层上形成图案化的掺杂多晶硅层，包含形成用于所述RC滤波器的电容器的多晶硅板；在所述多晶硅板上形成硅化物层；在所述硅化物层上形成第二介电层；形成触点，所述触点包含RC滤波器的与所述硅化物层的一端接触的输入触点、所述RC滤波器的与所述硅化物层的相对端接触的输出触点，以及形成金属层，所述金属层提供至少与所述输入触点和所述输出触点的接触。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 德州仪器公司 用作RC滤波器的单个电容器

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