申请/专利权人：株式会社钟化

申请日：2019-02-19

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN111742416B

主分类号：H01L31/0224

分类号：H01L31/0224;H01L21/306;H01L31/0747

优先权：["20180223 JP 2018-030796"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2021.02.26#实质审查的生效;2020.10.02#公开

摘要：一种太阳能电池的制造方法，包含：在晶体基板11的一个主面11S上形成p型半导体层13p的工序、在p型半导体层13p上层叠以氧化物为主成分的剥离层LF的工序、选择性地除去p型半导体层13p和剥离层LF的工序，在选择性地除去p型半导体层13p和剥离层LF的工序中，进行使用2种以上的不同蚀刻液的湿式蚀刻，以使从晶体基板11的表面垂直方向的一个主面侧观察，p型半导体层13p的蚀刻面积小于或等于剥离层LF的蚀刻面积。

主权项：1.一种太阳能电池的制造方法，包含如下工序：在半导体基板中的相互对置的2个主面的一个主面上形成第1导电型的第1半导体层的工序，在所述第1半导体层上层叠以氧化物为主成分的剥离层的工序，通过蚀刻而选择性地除去所述第1半导体层和所述剥离层的工序，在包含所述第1半导体层和所述剥离层的所述一个主面上形成第2导电型的第2半导体层的工序，通过除去所述剥离层而除去覆盖所述剥离层的所述第2半导体层的工序；在选择性地除去所述第1半导体层和所述剥离层的工序中，通过使用2种以上的不同蚀刻液的湿式蚀刻来除去所述第1半导体层和所述剥离层，以使从所述半导体基板的表面垂直方向的所述一个主面侧观察，所述第1半导体层的蚀刻面积小于或等于所述剥离层的蚀刻面积，所述剥离层在形成所述第1半导体层之后，不蚀刻该第1半导体层而层叠于该第1半导体层上，选择性地除去所述第1半导体层和所述剥离层的工序包含如下工序：剥离层除去工序，在所述剥离层上形成具有规定图案的抗蚀膜之后，选择性地除去所述剥离层；和第1半导体层除去工序，使用该剥离层除去工序中使用的所述抗蚀膜选择性地除去所述第1半导体层；所述剥离层除去工序中使用的蚀刻液的种类与所述第1半导体层除去工序中使用的蚀刻液的种类不同。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社钟化 太阳能电池的制造方法

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