申请/专利权人：京东方科技集团股份有限公司

申请日：2020-02-28

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN113795920B

主分类号：H01L27/146

分类号：H01L27/146;H01L27/12

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2021.12.31#实质审查的生效;2021.12.14#公开

摘要：一种探测基板、其制作方法及平板探测器，包括：衬底基板100；晶体管104，位于衬底基板100之上；光电转换器件105，位于衬底基板100之上，光电转换器件105的底电极1051与晶体管104电连接；偏压线103，偏压线103位于光电转换器件105远离衬底基板100的一侧，且与光电转换器件105的顶电极1052电连接；绝缘保护层106，位于偏压线103和光电转换器件105远离衬底基板100的一侧，绝缘保护层106与光电转换器件105的顶电极1052直接接触。

主权项：1.一种探测基板，其中，包括：衬底基板；晶体管，位于所述衬底基板之上；光电转换器件，位于所述衬底基板之上，所述光电转换器件的底电极与所述晶体管电连接；偏压线，所述偏压线位于所述光电转换器件远离所述衬底基板的一侧，且与所述光电转换器件的顶电极电连接；绝缘保护层，位于所述偏压线和所述光电转换器件远离所述衬底基板的一侧，所述绝缘保护层与所述光电转换器件的顶电极直接接触；所述探测基板，还包括：位于所述晶体管和所述光电转换器件远离所述衬底基板一侧的侧壁保护层，位于所述侧壁保护层与所述偏压线所在层之间的钝化层，以及位于所述晶体管所在层与所述光电转换器件所在层之间且具有叠层结构的沟道保护层；所述侧壁保护层在所述光电转换器件的顶电极处具有开口，且至少覆盖所述光电转换器件的侧壁；所述钝化层在所述光电转换器件的顶电极处具有开口；所述晶体管通过所述沟道保护层的过孔与所述光电转换器件的底电极电连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 京东方科技集团股份有限公司 探测基板、其制作方法及平板探测器

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