申请/专利权人：铠侠股份有限公司

申请日：2020-07-20

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN113451354B

主分类号：H10B61/00

分类号：H10B61/00;H01L23/544;H10B12/00

优先权：["20200324 JP 2020-052006"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2021.10.22#实质审查的生效;2021.09.28#公开

摘要：本发明的实施方式涉及一种存储装置及存储装置的制造方法。根据一实施方式，实施方式的存储装置包含：第1芯片400，包含绝缘层61及第1焊垫73；多个存储器部51，设置在绝缘层61的第1区域A1内，以第1间隔Dp1排列在与第1芯片400的表面平行的第1方向上；多个第1标记部990，设置在绝缘层61的第2区域A2内，以第2间隔Dp2排列在第1方向上；第2芯片410，在与第1芯片400的表面垂直的第2方向上与第1芯片400重叠，包含连接于第1焊垫73的第2焊垫38；及电路CC，设置在第2芯片410内。

主权项：1.一种存储装置，具备：第1芯片，包含第1绝缘层及第1焊垫；多个存储器部，设置在所述第1绝缘层的第1区域内，以第1间隔排列在与所述第1芯片的表面平行的第1方向上；多个第1标记部，设置在所述第1绝缘层的第2区域内，以第2间隔排列在所述第1方向上；第2芯片，在与所述第1芯片的表面垂直的第2方向上与所述第1芯片重叠，包含连接于所述第1焊垫的第2焊垫；及电路，设置在所述第2芯片内；其中所述多个存储器部分别包含第1柱状部，该第1柱状部在所述第1绝缘层内在所述第2方向上延伸，所述多个第1标记部分别包含第2柱状部，该第2柱状部在所述第1绝缘层内在所述第2方向上延伸。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 铠侠股份有限公司 存储装置及存储装置的制造方法

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