申请/专利权人：复旦大学

申请日：2022-07-12

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN115172521B

主分类号：H01L31/18

分类号：H01L31/18;H01L31/0232

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2022.10.28#实质审查的生效;2022.10.11#公开

摘要：本发明涉及一种卷曲管状光电探测器的制备方法，包括以下步骤：1在衬底上制备牺牲层、机械支撑层，并图形化处理；2制备用于信号检测的金属电极；3制备半导体薄膜作为光电转换功能层；4去除牺牲层，释放薄膜，将薄膜弯曲成管状结构。与现有技术相比，本发明探测器管状结构光学微腔中自身的谐振模式和陷光效应，结合表面微结构增强的光场局域效应，大幅提升器件的光子调控能力，增加光吸收，提升器件对光场响应，从而得到高灵敏度的光学器件，该探测器件能实现全角度探测，灵敏度高，制备简易，在可见光通讯、光电转换、环境探测等领域具有重要的应用前景。

主权项：1.一种卷曲管状光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）在衬底上制备牺牲层、机械支撑层，并图形化处理，牺牲层为Ge，机械支撑层为残余应力方向相反的双层氮化硅，图形化处理采用光刻，光刻图形为条状、块状或圆形；（2）制备用于信号检测的金属电极；（3）制备半导体薄膜作为光电转换功能层；（4）在半导体薄膜上制备精细微结构，精细微结构组成为贵金属阵列或孔洞阵列；（5）去除牺牲层，释放薄膜，基于机械支撑层的内应变梯度，薄膜弯曲成管状结构；所述贵金属阵列由在半导体薄膜上沉积一层贵金属纳米颗粒得到；或者，所述贵金属阵列由在半导体薄膜表面制备金属周期性凹槽阵列，并在凹槽阵列上沉积一层贵金属纳米薄膜得到，贵金属阵列厚度为5-500nm，沿器件主体方向的周期为5-500nm；所述孔洞阵列为直接在半导体薄膜上刻蚀形成的具有周期结构的孔洞阵列，孔洞阵列中，单元孔洞呈方形或圆形，当单元孔洞呈方形时，其边长为100-1000nm，当单元孔洞呈圆形时，其直径为100-1000nm。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 复旦大学 一种卷曲管状光电探测器的制备方法

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