申请/专利权人：北极星特许集团有限责任公司

申请日：2021-02-01

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN113257830B

主分类号：H10B43/35

分类号：H10B43/35;H10B43/10

优先权：["20200211 US 16/787,914"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2023.09.22#专利申请权的转移;2021.08.31#实质审查的生效;2021.08.13#公开

摘要：本申请案涉及包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法包括：在衬底上方形成包括竖直交替的第一层和第二层的堆叠。在所述堆叠中形成水平拉长的沟槽以形成横向间隔开的存储器块区。在所述沟槽中的个别沟槽的底部区中形成催化材料。将金属材料无电沉积到所述催化材料的催化表面上以个别地填充所述个别沟槽的至少大部分剩余体积。沟道材料串形成且延伸穿过所述第一层和所述第二层。公开了包含独立于方法的结构的其它实施例。

主权项：1.一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法，其包括：在衬底上方形成包括竖直交替的第一层和第二层的堆叠；在所述堆叠中形成水平拉长的沟槽以形成横向间隔开的存储器块区；在所述沟槽中的单独沟槽的底部区中的绝缘材料顶上形成催化材料；将金属材料无电沉积到所述催化材料的催化表面上以单独地填充所述单独沟槽的至少大部分剩余体积；形成延伸穿过所述第一层和所述第二层的沟道材料串；以及其中所述催化材料具有横向外部侧壁，在所述横向外部侧壁之间，所述催化材料在所述单独沟槽的所述底部区中横向连续地延伸，所述催化材料形成为在其中包括竖直拉长的缝隙，所述竖直拉长的缝隙横向地位于所述横向外部侧壁之间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北极星特许集团有限责任公司 包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法

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