申请/专利权人：联华电子股份有限公司

申请日：2019-01-14

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN111435672B

主分类号：H10B61/00

分类号：H10B61/00;H10N50/10;H10N50/01

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2020.08.14#实质审查的生效;2020.07.21#公开

摘要：本发明公开一种磁阻式随机存取记忆体存储器结构及其制作方法，该磁阻式随机存取存储器结构包含一介电层，一接触洞设置于介电层中，一接触插塞填入接触洞并且凸出于介电层，其中接触插塞包含一下部元件和一上部元件，下部元件填入接触洞并且为矩形，上部元件位于接触洞之外，上部元件包含一顶边和一底边，顶边和底边互相平行，底边较顶边接近接触洞，底边大于顶边，以及一磁阻式随机存取存储器位于接触插塞上方并且接触接触插塞。

主权项：1.一种磁阻式随机存取存储器结构，其特征在于，包含：介电层；接触洞，设置于该介电层中；接触插塞，填入该接触洞并且凸出于该介电层，其中该接触插塞包含下部元件和上部元件，其中该下部元件和该上部元件为同一层金属层，该下部元件填入该接触洞，该上部元件位于该接触洞之外，该上部元件包含顶边、底边、第一斜边和第二斜边，该顶边和该底边互相平行，该底边较该顶边接近该接触洞，该底边大于该顶边，该第一斜边的两末端分别连接该顶边和该底边，该第二斜边的两末端分别连接该顶边和该底边；磁阻式随机存取存储器，位于该接触插塞上方并且接触该接触插塞，其中该磁阻式随机存取存储器包含磁性隧穿结、上电极和下电极，该磁阻式随机存取存储器和该接触插塞的侧壁形成一连续的斜边；间隙壁材料层，接触该磁阻式随机存取存储器和该接触插塞，其中该接触插塞的该第一斜边和该第二斜边被该间隙壁材料层覆盖并接触；以及另一介电层，覆盖该间隙壁材料层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 联华电子股份有限公司 磁阻式随机存取存储器结构及其制作方法

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