申请/专利权人：深圳市瑞之辰科技有限公司

申请日：2019-07-24

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN110308751B

主分类号：A24F40/57

分类号：A24F40/57

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2019.11.01#实质审查的生效;2019.10.08#公开

摘要：本发明提供了一种温控校正电路，包括负温比电流源模块、负温比电压生成模块、零温比参考模块和模数转换模块，所述负温比电流源模块的输入端与电源正极连接，所述负温比电流源模块的输出端通过负温比电压生成模块与地连接，所述负温比电流源模块输出端与模数转换模块的一个输入端连接，所述零温比参考模块的输入端与电源正极连接，所述零温比参考模块的输出端与模数转换模块的另一个输入端连接。本发明的有益效果在于：提供了一种温控校正电路，该电路结构简单，可靠性高，能够及时反馈电容的初始值变化情况，让电子烟及时校正侦测值，有效防止了防止电子烟的加热模块误操作，提高了用户体验。

主权项：1.一种温控校正电路，其特征在于：包括负温比电流源模块、负温比电压生成模块、零温比参考模块和模数转换模块，所述负温比电流源模块的输入端与电源正极连接，所述负温比电流源模块的输出端通过负温比电压生成模块与地连接，所述负温比电流源模块输出端与模数转换模块的一个输入端连接，所述零温比参考模块的输入端与电源正极连接，所述零温比参考模块的输出端与模数转换模块的另一个输入端连接。

全文数据：温控校正电路及温控校正方法技术领域本发明涉及电子烟的电子电路设计领域，尤其是指一种温控校正电路及温控校正方法。背景技术现有电子烟通过检测电子烟传感器的电容变化数值来触发加热丝工作加热烟油，从而雾化烟油，但是发热丝发热时产生的高温也会影响传感器的电容，电容受热后容值也会发生变化，即电路中的基准电容发生了变化，由此会导致电子烟的控制出现问题，出现错误的加热动作，进而影响产品体验。发明内容本发明所要解决的技术问题是：提供一种温控校正电路及校正方法，能够为电子烟提供准确的工作参数，避免电子烟的错误控温动作。为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：一种温控校正电路，包括负温比电流源模块、负温比电压生成模块、零温比参考模块和模数转换模块，所述负温比电流源模块的输入端与电源正极连接，所述负温比电流源模块的输出端通过负温比电压生成模块与地连接，所述负温比电流源模块输出端与模数转换模块的一个输入端连接，所述零温比参考模块的输入端与电源正极连接，所述零温比参考模块的输出端与模数转换模块的另一个输入端连接。进一步的，所述负温比电流源模块包括第一P沟道场效应管、第二P沟道场效应管、第三P沟道场效应管、第一N沟道场效应管、第二N沟道场效应管、第一电阻和第一PNP三极管，所述第一P沟道场效应管的漏极与电源正极连接，所述第一P沟道场效应管的栅极与所述第一P沟道场效应管的源极连接，所述第一P沟道场效应管的源极与所述第一N沟道场效应管的漏极连接，所述第一N沟道场效应管的源极与第一电阻的一端连接，第一电阻的另一端与地连接；所述第二P沟道场效应管的漏极与电源正极连接，所述第二P沟道场效应管的栅极与第一P沟道场效应管的栅极连接，所述第二P沟道场效应管的源极与第二N沟道场效应管的漏极连接，所述第二N沟道场效应管的漏极与所述第二N沟道场效应管的栅极连接，所述第一N沟道场效应管的栅极与所述第二N沟道场效应管的栅极连接，所述第二N沟道场效应管的源极与第一PNP三极管的发射极连接，所述第一PNP三极管的集电极与地连接，所述第一PNP三极管的基极与第一三极管的集电极连接；所述第三P沟道场效应管的漏极与电源正极连接，所述第三P沟道场效应管的栅极与第二P沟道场效应管的栅极连接，所述第三P沟道场效应管的源极与负温比电流源模块的输出端连接。进一步的，所述零温比参考模块包括第四P沟道场效应管、第五P沟道场效应管、第六P沟道场效应管、第三N沟道场效应管、第四N沟道场效应管、第二PNP三极管、第三PNP三极管、第四PNP三极管、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻和第一比较器，所述第四P沟道场效应管的漏极与电源正极连接，所述第四P沟道场效应管的栅极与所述第四P沟道场效应管的源极连接，所述第四P沟道场效应管的源极与所述第三N沟道场效应管的漏极连接，所述第三N沟道场效应管的源极与所述第二电阻的一端连接，所述第二电阻的另一端与所述第二PNP三极管的发射极连接，所述第二PNP三极管的集电极与地连接，所述第二PNP三极管的基极与所述第二PNP三极管的集电极连接；所述第五P沟道场效应管的漏极与电源正极连接，所述第五P沟道场效应管的栅极与所述第四P沟道场效应管的栅极连接，所述第五P沟道场效应管的源极与所述第四N沟道场效应管的漏极连接，所述第四N沟道场效应管的漏极与所述第四N沟道场效应管的栅极连接，第四N沟道场效应管的栅极与所述第三N沟道场效应管的栅极连接，所述第四N沟道场效应管的源极与所述第三PNP三极管的发射极连接，所述第三PNP三极管的集电极与地连接，所述第三PNP三极管的基极与所述第三PNP三极管的集电极连接；所述第六P沟道场效应管的漏极与电源正极连接，所述第六P沟道场效应管的栅极与所述第四P沟道场效应管的栅极连接，所述第六P沟道场效应管的源极与所述第三电阻的一端连接，所述第三电阻的另一端与所述第三PNP三极管的发射极连接，所述第三PNP三极管的集电极与地连接，所述第三PNP三极管的基极与所述第三PNP三极管的集电极连接；所述第六P沟道场效应管的源极与所述第一比较器的同相输入端连接，所述第一比较器的反相输入端与所述第一比较器的输出端连接，所述第一比较器的输出端与第一参考输出端连接，所述第一比较器的输出端与第四电阻的一端连接，所述第四电阻的另一端与第五电阻的一端连接，所述第五电阻的另一端与所述第六电阻的一端连接，所述第六电阻的另一端与地连接，所述第四电阻的另一端与第二参考输出端连接，所述第五电阻的另一端与第三参考输出端连接。进一步的，所述负温比电压生成模块包括负温比电压生成电阻。进一步的，所述模数转换模块包括第二比较器、第三比较器和第四比较器，所述第二比较器、第三比较器和第四比较器的反相输入端分别与所述负温比电流源模块的输出端连接；所述第二比较器的正相输入端与所述零温比参考模块的第一参考输出端连接，所述第二比较器的输出端与第一模数转换模块输出端连接；所述第三比较器的正相输入端与所述零温比参考模块的第二参考输出端连接与第二模数转换模块输出端连接；所述第四比较器的正相输入端与所述零温比参考模块的第三参考输出端连接与第三模数转换模块输出端连接。本发明还涉及一种温控校正方法，包括：S1、获取并保存基准电容值C；S2、获取并保存初始温度值T0；S3、获取实时温度值T；S4、对比初始温度值T0和实时温度值T，定义温度差ΔT，其中：ΔT＝│T-T0│；S5、判断ΔT是否大于预设的补偿温差值α，是则返回步骤S1，否则返回步骤S3，所述补偿温差值α为45℃-55℃。进一步的，所述补偿温差值α为50℃。本发明的有益效果在于：提供了一种温控校正电路，该电路结构简单，可靠性高，能够及时反馈电容的初始值变化情况，让电子烟及时校正侦测值，有效防止了防止电子烟的加热模块误操作，提高了用户体验。附图说明下面结合附图详述本发明的具体结构及流程：图1为本发明的整体结构框图；图2为本发明的负温比电流源模块的电路结构示意图；图3为本发明的零温比参考模块的电路结构示意图；图4为本发明的模数转换模块的电路结构示意图；图5为本发明的温控校正方法的流程示意图；1-负温比电流源模块；2-零温比参考模块；3-负温比电压生成模块；4-模数转换模块；Q1-第一P沟道场效应管；Q2-第二P沟道场效应管；Q3-第三P沟道场效应管；Q4-第一N沟道场效应管；Q5-第二N沟道场效应管；Q6-第四P沟道场效应管；Q7-第五P沟道场效应管；Q8-第六P沟道场效应管；Q9-第三N沟道场效应管；Q10-第四N沟道场效应管；R1-第一电阻；R2-第二电阻；R3-第三电阻；R4-第四电阻；R5-第五电阻；R6-第六电阻；VT1-第一PNP三极管；VT2-第二PNP三极管；VT3-第三PNP三极管；VT4-第四PNP三极管；U1-第一比较器；U2-第二比较器；U3-第三比较器；U4-第四比较器。具体实施方式为详细说明本发明的技术内容、构造特征、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图详予说明。请参阅图1至图4，一种温控校正电路，包括负温比电流源模块1、零温比参考模块2、负温比电压生成模块3和模数转换模块4，所述负温比电流源模块1的输入端与电源正极连接，所述负温比电流源模块1的输出端通过负温比电压生成模块3与地连接，所述负温比电流源模块1的输出端与模数转换模块4的一个输入端连接，所述零温比参考模块2的输入端与电源正极连接，所述零温比参考模块2的输出端与模数转换模块4的另一个输入端连接。在本技术方案中，所述负温比电流源模块用于产生负温比电流INTAT，负温比电流经负温比电压生成模块生成负温比电压VNTAT，负温比电压VNTAT与零温比电压在经过模数转换模块转换后，产生数字信号D1、D2和D3，当系统检测到D1、D2和D3转换时，就会更新电子烟的初始记录值。所述负温比电流源模块1包括第一P沟道场效应管Q1、第二P沟道场效应管Q2、第三P沟道场效应管Q3、第一N沟道场效应管Q4、第二N沟道场效应管Q5、第一电阻R1和第一PNP三极管VT1，所述第一P沟道场效应管Q1的漏极与电源正极连接，所述第一P沟道场效应管Q1的栅极与所述第一P沟道场效应管Q1的源极连接，所述第一P沟道场效应管Q1的源极与所述第一N沟道场效应管Q4的漏极连接，所述第一N沟道场效应管Q4的源极与第一电阻R1的一端连接，第一电阻R1的另一端与地连接；所述第二P沟道场效应管Q2的漏极与电源正极连接，所述第二P沟道场效应管Q2的栅极与第一P沟道场效应管Q1的栅极连接，所述第二P沟道场效应管Q2的源极与第二N沟道场效应管Q5的漏极连接，所述第二N沟道场效应管Q5的漏极与所述第二N沟道场效应管Q5的栅极连接，所述第一N沟道场效应管Q4的栅极与所述第二N沟道场效应管Q5的栅极连接，所述第二N沟道场效应管Q5的源极与第一PNP三极管VT1的发射极连接，所述第一PNP三极管VT1的集电极与地连接，所述第一PNP三极管VT1的基极与第一三极管的集电极连接；所述第三P沟道场效应管Q3的漏极与电源正极连接，所述第三P沟道场效应管Q3的栅极与第二P沟道场效应管Q2的栅极连接，所述第三P沟道场效应管Q3的源极与负温比电流源模块1的输出端连接。本技术方案中，定义第一N沟道场效应管的栅极和源极之间的电压为VGS1，定义第二N沟道场效应管的栅极和源极之间的电压为VGS2，定义第一N沟道场效应管的源极和地之间的电压为VN1，定义第一PNP三极管的发射极和基极之间的电压为VBE0。第一P沟道场效应管、第二P沟道场效应管和第三P沟道场效应管产生有等效电流，其中第一P沟道场效应管接有用于偏压的第一N沟道场效应管，第二P沟道场效应管接有用于偏压的第二N沟道场效应管，由于用于偏压的第一N沟道场效应管和第二N沟道场效应管的电流相同，所以VGS1＝VGS2，通过第一N沟道场效应管的电流为VN1R1，而VN1＝VBE0，且VBE0为负温比电压，通过第一N沟道场效应管的电流VN1R1＝VBE0R1为负温比电流，第一N沟道场效应管的电流经过第一P沟道场效应管和第三P沟道场效应管后产生负温比电流INTAT。所述零温比参考模块2包括第四P沟道场效应管Q6、第五P沟道场效应管Q7、第六P沟道场效应管Q8、第三N沟道场效应管Q9、第四N沟道场效应管Q10、第二PNP三极管VT2、第三PNP三极管VT3、第四PNP三极管VT4、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6和第一比较器U1，所述第四P沟道场效应管Q6的漏极与电源正极连接，所述第四P沟道场效应管Q6的栅极与所述第四P沟道场效应管Q6的源极连接，所述第四P沟道场效应管Q6的源极与所述第三N沟道场效应管Q9的漏极连接，所述第三N沟道场效应管的源极Q9与所述第二电阻R2的一端连接，所述第二电阻R2的另一端与所述第二PNP三极管VT2的发射极连接，所述第二PNP三极管VT2的集电极与地连接，所述第二PNP三极管VT2的基极与所述第二PNP三极管VT2的集电极连接；所述第五P沟道场效应管Q7的漏极与电源正极连接，所述第五P沟道场效应管Q7的栅极与所述第四P沟道场效应管Q10的栅极连接，所述第五P沟道场效应管Q7的源极与所述第四N沟道场效应管Q10的漏极连接，所述第四N沟道场效应管Q10的漏极与所述第四N沟道场效应管Q10的栅极连接，第四N沟道场效应管的栅极Q10与所述第三N沟道场效应管Q9的栅极连接，所述第四N沟道场效应管Q10的源极与所述第三PNP三极管VT3的发射极连接，所述第三PNP三极管的集电极与地连接，所述第三PNP三极管VT3的基极与所述第三PNP三极管VT3的集电极连接；所述第六P沟道场效应管Q8的漏极与电源正极连接，所述第六P沟道场效应管Q8的栅极与所述第四P沟道场效应管Q10的栅极连接，所述第六P沟道场效应管Q8的源极与所述第三电阻R3的一端连接，所述第三电阻R3的另一端与所述第三PNP三极管VT3的发射极连接，所述第三PNP三极管VT3的集电极与地连接，所述第三PNP三极管VT3的基极与所述第三PNP三极管VT3的集电极连接；所述第六P沟道场效应管Q8的源极与所述第一比较器U1的同相输入端连接，所述第一比较器U1的反相输入端与所述第一比较器U1的输出端连接，所述第一比较器U1的输出端与第一参考输出端连接，所述第一比较器U1的输出端与第四电阻R4的一端连接，所述第四电阻R4的另一端与第五电阻R5的一端连接，所述第五电阻R5的另一端与所述第六电阻R6的一端连接，所述第六电阻R6的另一端与地连接，所述第四电阻R4的另一端与第二参考输出端连接，所述第五电阻R5的另一端与第三参考输出端连接。本技术方案中，定义第三N沟道场效应管的栅极和源极之间的电压为VGS3，定义第四N沟道场效应管的栅极和源极之间的电压为VGS4，定义第三N沟道场效应管的源极和第二PNP三极管的发射极之间的电压为VN2，定义第二PNP三极管的发射极和集电极之间的电压为VBE2，定义第三PNP三极管的发射极和基极之间的电压为VBE1，定义第四PNP三极管的发射极和集电极之间的电压为VBE3，定义零温比参考模块的输出电压为VBG。第四P沟道场效应管、第五P沟道场效应管和第六P沟道场效应管产生有等效电流，其中第四P沟道场效应管接有用于偏压的第三N沟道场效应管，第五P沟道场效应管接有用于偏压的第四N沟道场效应管，由于用于偏压的第三N沟道场效应管和第四N沟道场效应管的电流相同，所以VGS3＝VGS4，通过第三N沟道场效应管的电流VN2-VBE2R2＝VBE1-VBE2R2，且因为VBE1-VBE2为正温比电压，因此经过第五P沟道场效应管的电流为正温比电流，经过第三N沟道场效应管的电流在经过第四P沟道场效应管和第六P沟道场效应管后产生正温比电流IPTAT，电压VBG＝IPTATxR3+VBE3，由于IPTATxR3为正温比电压，而VBE3为负温比电压，而VBG＝IPTATxR3+VBE3，因此VBG为零温比电压，由VBG产生的VREF1，VREF2，VREF3也同为零温比电压。所述负温比电压生成模块3包括负温比电压生成电阻。所述模数转换模块4包括第二比较器U2、第三比较器U3和第四比较器U4，所述第二比较器U2、第三比较器U3和第四比较器U4的反相输入端分别与所述负温比电流源模块1的输出端连接；所述第二比较器U2的正相输入端与所述零温比参考模块2的第一参考输出端连接，所述第二比较器U2的输出端与第一模数转换模块输出端连接；所述第三比较器U3的正相输入端与所述零温比参考模块2的第二参考输出端连接，所述第三比较器U3的输出端与第二模数转换模块输出端连接；所述第四比较器U4的正相输入端与所述零温比参考模块2的第三参考输出端连接，所述第四比较器U4的输出端与第三模数转换模块输出端连接。本技术方案中，负温比电压VNTAT与零温比电压VREF1经过第二比较器产生数字信号D1；负温比电压VNTAT与零温比电压VREF2经过第三比较器产生数字信号D2；负温比电压VNTAT与零温比电压VREF3经过第四比较器产生数字信号D4。当系统检测到数字信号D1、D2和D3出现变动时，系统会更新初始电容的纪录值。从上述描述可知，本发明的有益效果在于：提供了一种温控校正电路，该电路结构简单，可靠性高，能够及时反馈电容的初始值变化情况，让电子烟及时校正侦测值，有效防止了防止电子烟的加热模块误操作，提高了用户体验。上述中，第一、第二……只代表其名称的区分，不代表它们的重要程度和位置有什么不同。请参阅图5，本发明还涉及一种温控校正方法，包括：S1、获取并保存基准电容值C；系统初始化，获取当前基准电容的容值C，并将容值C保存至系统的储存器中。S2、获取并保存初始温度值T0；获取当前的温度值T0，并将温度值T0作为初始温度值保存至系统的储存器中。S3、获取实时温度值T；系统在启动完成后，按预设的时间间隔获取当前的温度值T作为实时温度。S4、对比初始温度值T0和实时温度值T，定义温度差ΔT；将获取的实时温度T与初始记录的初始温度T0作差值运算，得到温度差ΔT。S5、判断ΔT是否大于预设的补偿温差值α，是则返回步骤S1，否则返回步骤S3，所述补偿温差值α为45℃-55℃，优选的，补偿温差值α为50℃。当系统判断ΔT的值大于预设的补偿温差值，则重新获取基准电容值C和初始温度值T0，并将容值C和温度值T0保存至系统的储存器中，覆盖先前的数据，系统在随后的控制中会采用更新了的容值数据，实现更为精准的控制。由于电子烟在非工作时基本处于常温状态，加热时最高可以达到400℃，虽然400℃的不是直接作用到电容上，但是对电容的影响也较为大的，因此需要对电容做温漂补偿，电容在-30℃到85℃的温度范围内其容量变化可达122％到82％，即在115℃的温度变化范围内，容值变化近50％，为了保证电子烟控制加热丝的精度，补偿温差值设置在50℃的时候，能够达到很好的校正效果。以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

权利要求：1.一种温控校正电路，其特征在于：包括负温比电流源模块、负温比电压生成模块、零温比参考模块和模数转换模块，所述负温比电流源模块的输入端与电源正极连接，所述负温比电流源模块的输出端通过负温比电压生成模块与地连接，所述负温比电流源模块输出端与模数转换模块的一个输入端连接，所述零温比参考模块的输入端与电源正极连接，所述零温比参考模块的输出端与模数转换模块的另一个输入端连接。2.如权利要求1所述的温控校正电路，其特征在于：所述负温比电流源模块包括第一P沟道场效应管、第二P沟道场效应管、第三P沟道场效应管、第一N沟道场效应管、第二N沟道场效应管、第一电阻和第一PNP三极管，所述第一P沟道场效应管的漏极与电源正极连接，所述第一P沟道场效应管的栅极与所述第一P沟道场效应管的源极连接，所述第一P沟道场效应管的源极与所述第一N沟道场效应管的漏极连接，所述第一N沟道场效应管的源极与第一电阻的一端连接，第一电阻的另一端与地连接；所述第二P沟道场效应管的漏极与电源正极连接，所述第二P沟道场效应管的栅极与第一P沟道场效应管的栅极连接，所述第二P沟道场效应管的源极与第二N沟道场效应管的漏极连接，所述第二N沟道场效应管的漏极与所述第二N沟道场效应管的栅极连接，所述第一N沟道场效应管的栅极与所述第二N沟道场效应管的栅极连接，所述第二N沟道场效应管的源极与第一PNP三极管的发射极连接，所述第一PNP三极管的集电极与地连接，所述第一PNP三极管的基极与第一三极管的集电极连接；所述第三P沟道场效应管的漏极与电源正极连接，所述第三P沟道场效应管的栅极与第二P沟道场效应管的栅极连接，所述第三P沟道场效应管的源极与负温比电流源模块的输出端连接。3.如权利要求1所述的温控校正电路，其特征在于：所述零温比参考模块包括第四P沟道场效应管、第五P沟道场效应管、第六P沟道场效应管、第三N沟道场效应管、第四N沟道场效应管、第二PNP三极管、第三PNP三极管、第四PNP三极管、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻和第一比较器，所述第四P沟道场效应管的漏极与电源正极连接，所述第四P沟道场效应管的栅极与所述第四P沟道场效应管的源极连接，所述第四P沟道场效应管的源极与所述第三N沟道场效应管的漏极连接，所述第三N沟道场效应管的源极与所述第二电阻的一端连接，所述第二电阻的另一端与所述第二PNP三极管的发射极连接，所述第二PNP三极管的集电极与地连接，所述第二PNP三极管的基极与所述第二PNP三极管的集电极连接；所述第五P沟道场效应管的漏极与电源正极连接，所述第五P沟道场效应管的栅极与所述第四P沟道场效应管的栅极连接，所述第五P沟道场效应管的源极与所述第四N沟道场效应管的漏极连接，所述第四N沟道场效应管的漏极与所述第四N沟道场效应管的栅极连接，第四N沟道场效应管的栅极与所述第三N沟道场效应管的栅极连接，所述第四N沟道场效应管的源极与所述第三PNP三极管的发射极连接，所述第三PNP三极管的集电极与地连接，所述第三PNP三极管的基极与所述第三PNP三极管的集电极连接；所述第六P沟道场效应管的漏极与电源正极连接，所述第六P沟道场效应管的栅极与所述第四P沟道场效应管的栅极连接，所述第六P沟道场效应管的源极与所述第三电阻的一端连接，所述第三电阻的另一端与所述第三PNP三极管的发射极连接，所述第三PNP三极管的集电极与地连接，所述第三PNP三极管的基极与所述第三PNP三极管的集电极连接；所述第六P沟道场效应管的源极与所述第一比较器的同相输入端连接，所述第一比较器的反相输入端与所述第一比较器的输出端连接，所述第一比较器的输出端与第一参考输出端连接，所述第一比较器的输出端与第四电阻的一端连接，所述第四电阻的另一端与第五电阻的一端连接，所述第五电阻的另一端与所述第六电阻的一端连接，所述第六电阻的另一端与地连接，所述第四电阻的另一端与第二参考输出端连接，所述第五电阻的另一端与第三参考输出端连接。4.如权利要求1所述的温控校正电路，其特征在于：所述负温比电压生成模块包括负温比电压生成电阻。5.如权利要求1所述的温控校正电路，其特征在于：所述模数转换模块包括第二比较器、第三比较器和第四比较器，所述第二比较器、第三比较器和第四比较器的反相输入端分别与所述负温比电流源模块的输出端连接；所述第二比较器的正相输入端与所述零温比参考模块的第一参考输出端连接，所述第二比较器的输出端与第一模数转换模块输出端连接；所述第三比较器的正相输入端与所述零温比参考模块的第二参考输出端连接与第二模数转换模块输出端连接；所述第四比较器的正相输入端与所述零温比参考模块的第三参考输出端连接与第三模数转换模块输出端连接。6.一种温控校正方法，包括：S1、获取并保存基准电容值C；S2、获取并保存初始温度值T0；S3、获取实时温度值T；S4、对比初始温度值T0和实时温度值T，定义温度差ΔT，其中：ΔT＝│T-T0│；S5、判断ΔT是否大于预设的补偿温差值α，是则返回步骤S1，否则返回步骤S3，所述补偿温差值α为45℃-55℃。7.如权利要求1所述的温控校正方法，其特征在于：所述补偿温差值α为50℃。

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