申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司

申请日：2021-06-28

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN113506746B

主分类号：H01L21/336

分类号：H01L21/336;H01L29/06

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2021.11.02#实质审查的生效;2021.10.15#公开

摘要：本发明涉及解决超级结工艺打标区域高台阶差的方法，涉及半导体集成电路技术，包括在超级结深沟槽打标区域进行扫描曝光以及晶片边缘曝光两种曝光工艺，由于在超级结深沟槽打标区域采用scanner和WEE联合曝光，打标位置光刻胶充分曝光，显影后光刻胶完整保留下来，因此在深沟槽刻蚀后不会产生高台阶，打标识别和减薄撕膜也不会出现异常。

主权项：1.一种解决超级结工艺打标区域高台阶差的方法，其特征在于，包括：先在超级结深沟槽打标区域进行扫描曝光，且其余光刻层次的打标区域全不曝光，然后在超级结深沟槽打标区域进行晶片边缘曝光，以使得打标区域光刻胶充分曝光并在显影后完整保留下来。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 解决超级结工艺打标区域高台阶差的方法

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