申请/专利权人：上汽英飞凌汽车功率半导体(上海)有限公司

申请日：2023-07-28

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN220627796U

主分类号：H01L23/488

分类号：H01L23/488;H01L23/14;H01L21/60

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权

摘要：本实用新型公开了一种DCB覆铜片焊接结构，包括：DCB，其形成为三明治结构，其顶层和底层为覆铜片，中间层为陶瓷板，其顶层覆铜片形成为芯片固定面，所述芯片固定面上形成有多个焊接区，所述焊接区用于焊接固定芯片；所述焊接区的底面的高度低于芯片固定面的高度；至少有一种焊接部形成在所述焊接区的底面和或所述焊接区的侧壁上；所述焊接部用于导流焊料和或增加焊接面积。本实用新型在焊接区的底面和或所述焊接区的侧壁上设计至少有一种焊接部，焊接部的导流作用是将锡膏自焊接区导出，避免锡膏堆积产生气泡。相应的，相对焊接平面，焊接部能增加锡膏的焊接面积，提高焊接质量，降低焊接成本和提高焊接效率。

主权项：1.一种DCB覆铜片焊接结构，包括：DCB，其形成为三明治结构，其顶层和底层为覆铜片，中间层为陶瓷板，其顶层覆铜片形成为芯片固定面，其特征在于：所述芯片固定面上形成有多个焊接区，所述焊接区用于焊接固定芯片；所述焊接区的底面的高度低于芯片固定面的高度；至少有一种焊接部形成在所述焊接区的底面和或所述焊接区的侧壁上；所述焊接部用于导流焊料和或增加焊接面积。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上汽英飞凌汽车功率半导体(上海)有限公司 DCB覆铜片焊接结构

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