申请/专利权人：中国科学院微电子研究所

申请日：2023-11-09

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747540A

主分类号：H01L21/768

分类号：H01L21/768;B82Y40/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本申请涉及沉积工艺技术领域，提出了一种纳米尺度深孔的制备方法及纳米器件，其中，方法包括：在衬底表面沉积预设厚度的第一氧化硅层；对所述第一氧化硅层进行曝光，形成预设尺寸的接触孔；在所述第一氧化硅层和接触孔的表面，沉积SIN终止层；在SIN终止层的表面沉积第二氧化硅层，直至达到目标孔径；沉积非晶硅薄膜，将所述目标孔径填满；用湿法刻蚀去除所述非晶硅薄膜和所述接触孔底部的SIN终止层。通过该技术方案，采用常规的光刻技术结合薄膜和化学机械抛光，刻蚀工艺，实现50nm以下的接触孔，降低生产制造成本，降低DUV光刻机的产能压力，拓展了不同I光刻机的应用范围。

主权项：1.一种纳米尺度深孔的制备方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底表面沉积预设厚度的第一氧化硅层；对所述第一氧化硅层进行曝光，形成预设尺寸的接触孔；在所述第一氧化硅层和接触孔的表面，沉积SIN终止层；在SIN终止层的表面沉积第二氧化硅层，直至达到目标孔径；沉积非晶硅薄膜，将所述目标孔径填满；用湿法刻蚀去除所述非晶硅薄膜和所述接触孔底部的SIN终止层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院微电子研究所 纳米尺度深孔的制备方法及纳米器件

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