申请/专利权人：东芯半导体股份有限公司

申请日：2023-12-20

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117746961A

主分类号：G11C29/42

分类号：G11C29/42;G11C17/16;G11C17/18

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明的一次可编程存储器用于DRAM存储设备的修复信息的保存，包括一次可编程阵列、以及多个本地寄存器，在将所述一次可编程阵列中所存储的所述修复信息发送至多个所述本地寄存器之前，通过ECC功能对所述修复信息进行校验纠正。

主权项：1.一种一次可编程存储器，用于DRAM存储设备的修复信息的保存，其特征在于，包括一次可编程阵列、以及多个本地寄存器，在将所述一次可编程阵列中所存储的所述修复信息发送至多个所述本地寄存器之前，通过ECC功能对所述修复信息进行校验纠正。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 东芯半导体股份有限公司 一次可编程存储器、读写方法以及DRAM存储设备

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD