申请/专利权人:应用材料公司
申请日:2022-08-03
公开(公告)日:2024-03-26
公开(公告)号:CN117769895A
主分类号:H10B12/00
分类号:H10B12/00
优先权:["20210803 US 63/228,762","20220802 US 17/879,091"]
专利状态码:在审-公开
法律状态:2024.03.26#公开
摘要:本发明描述具有金属硅化物并因此得到低电阻触点的存储器器件。本发明描述了形成存储器器件的方法。方法包括在存储器堆叠上的半导体材料层上形成金属硅化物层,所述半导体材料层具有电容器侧及位线侧。随后在金属硅化物层的电容器侧上形成电容器,并在金属硅化物层的位线侧上形成位线。
主权项:1.一种形成存储器器件的方法,所述方法包含:在存储器堆叠上的半导体材料层上形成金属硅化物,所述半导体材料层具有电容器侧及位线侧;在所述金属硅化物层的所述电容器侧上形成电容器;及在所述金属硅化物层的所述位线侧上形成位线。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 应用材料公司 用于三维DRAM的选择性硅化物沉积
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