申请/专利权人：深圳市宏旺微电子有限公司

申请日：2020-09-17

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN112151103B

主分类号：G11C29/18

分类号：G11C29/18

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.29#授权;2021.03.26#实质审查的生效;2020.12.29#公开

摘要：本申请提供了一种基于March算法的DRAM故障检测方法和装置，运用于半导体集成电路测试技术领域，通过不同数据背景对一个存储单元的反复读写，能够检测到原有March算法难以发现的单元内不同位之间的耦合故障，同时能够检测内存单元的读写稳定性，通过在写操作和读操作之间增加一个延迟操作，若芯片内部出现漏电故障BF，则高电压的cell会向低电压的cell漏电，经过一段时间的漏电之后高电压的cell则不能维持原有的数据，故会发生故障，而增加的延迟延时操作可以有效检测到存储单元的数据保留故障DRF。

主权项：1.一种基于March算法的DRAM故障检测方法，其特征在于，包括：S1，根据DRAM内单元的地址递增或地址递减，对DRAM内各个存储单元进行依序写值操作；S2，对各个存储单元进行延迟操作；S3，所述延迟操作之后对各个存储单元进行读值操作，并判断读取的数值是否与写入的数值一致，若一致，则DRAM不存在数据保留故障，反之，则DRAM存在数据保留故障，完成DRAM数据保留故障的检测；S4，根据DRAM内单元的地址递增或地址递减，向DRAM内各个存储单元依序写入16位数值，第一次向DRAM内各个存储单元依序写入所述16位数值包括“0000000000000001”或者“1111111111111110”；S5，根据DRAM内单元的地址递增或地址递减，读取DRAM内各个存储单元中输入的16位数值，并判断读取数值与写入数值是否一致，若一致，则向DRAM内各个存储单元依序写入将“1”或“0”向左移1位后的16位数值，即第二次的16位数值包括“0000000000000010”或者“1111111111111101”；S6，重复执行上述步骤S5，直至进行16次的读写过程后，若每次的读写过程中判断数值均无误，则DRAM无故障，若读写过程中出现数值有误，则认定DRAM出现故障；其中，通过在所述写值操作和所述读值操作之间增加一个所述延迟操作，若芯片内部出现漏电故障BF，则高电压的cell会向低电压的cell漏电，经过一段时间的漏电之后高电压的cell则不能维持原有的数据，故会发生故障，而增加的所述延迟操作可以有效检测到DRAM内各存储单元的数据保留故障。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳市宏旺微电子有限公司 基于March算法的DRAM故障检测方法和装置

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