申请/专利权人：美光科技公司

申请日：2022-06-22

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117796173A

主分类号：H10B12/00

分类号：H10B12/00;H01L27/092;H01L29/78

优先权：["20210729 US 17/388,184"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.29#公开

摘要：DRAM电路系统包括存储器阵列，所述存储器阵列包括个别地包括晶体管及电荷存储装置的存储器单元。所述晶体管个别地包括两个源极漏极区，其之间具有栅极，所述栅极是所述存储器阵列的多条字线中的一者的部分。所述源极漏极区中的一者电耦合到所述电荷存储装置中的一者。所述源极漏极区中的另一者电耦合到所述存储器阵列的多条感测线中的一者。外围电路系统包括具有个别地包括所述字线中的一者的栅极的字线驱动器晶体管，且包括具有个别地包括所述感测线中的一者的栅极的感测线放大器晶体管。所述感测线放大器晶体管及所述字线驱动器晶体管个别地为具有至少一个鳍片的finFET，其包括所述相应finFET的沟道区。所述感测线放大器晶体管及所述字线驱动器晶体管个别地包括两个源极漏极区，所述源极漏极区个别地包括在垂直横截面中邻近所述至少一个鳍片的两个侧向相对侧中的一者的导电掺杂外延半导体材料。还公开方法。

主权项：1.一种DRAM电路系统，其包括：存储器阵列，其包括个别地包括晶体管及电荷存储装置的存储器单元，所述晶体管个别地包括两个源极漏极区，其之间具有栅极，所述栅极是所述存储器阵列的多条字线中的一者的一部分，所述源极漏极区中的一者电耦合到所述电荷存储装置中的一者，所述源极漏极区中的另一者电耦合到所述存储器阵列的多条感测线中的一者；外围电路系统，其包括具有个别地包括所述字线中的一者的栅极的字线驱动器晶体管，且包括具有个别地包括所述感测线中的一者的栅极的感测线放大器晶体管；且所述感测线放大器晶体管及所述字线驱动器晶体管个别地为具有至少一个鳍片的finFET，其包括所述相应finFET的沟道区，所述感测线放大器晶体管及所述字线驱动器晶体管个别地包括两个源极漏极区，所述源极漏极区个别地包括在垂直横截面中邻近所述至少一个鳍片的两个侧向相对侧中的一者的导电掺杂外延半导体材料。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 美光科技公司 DRAM电路系统及形成DRAM电路系统的方法

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