申请/专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

申请日：2024-02-19

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747544A

主分类号：H01L21/768

分类号：H01L21/768;H01L23/48;H01L23/532

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种硅通孔的形成方法，具体步骤包括：1在硅片表面进行第一次掩膜；2通过激光加工在硅片上形成粗通孔；3去除第一次掩膜的残留物；4再次掩膜，确定精准的通孔位置和尺寸；5使用高能离子束对非掩膜区域进行刻蚀；6在氧化剂中浸泡去除第二次掩膜残留物。本申请方案将离子束刻蚀和激光通孔技术相结合，可以在保持较高精度的同时，减少刻蚀的加工时间和能量消耗，提高整体加工效率，提高硅通孔的表面质量和平坦度，从而得到理想的硅通孔效果，二次掩膜技术可以进一步提高细节结构的精度和分辨率，在二次掩膜过程中可以对这些问题进行修正，从而得到更加准确和精细的图案。

主权项：1.一种硅通孔的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：1使用光刻技术在硅片表面进行第一次掩膜；2通过激光加工在所述硅片上形成粗通孔；3在有机溶剂中浸泡去除所述硅片表面的第一次掩膜的残留物；4使用光刻技术在所述硅片表面再次掩膜，并确定精准的通孔位置和尺寸；5使用高能离子束对所述硅片表面的非掩膜区域进行刻蚀；6在氧化剂中浸泡去除所述硅片表面的第二次掩膜残留物。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种硅通孔的形成方法

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