申请/专利权人：英特尔公司

申请日：2021-11-18

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747585A

主分类号：H01L23/498

分类号：H01L23/498;H01L23/492;H01L23/528;H01L25/04

优先权：["20201218 US 17/126,636"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本文公开了包括桥接器的微电子结构以及相关组件和方法。在一些实施例中，微电子结构可以包括衬底和桥接器。

主权项：1.一种微电子组件，包括：衬底，所述衬底具有顶侧和第二侧，所述底侧与所述顶侧相对，所述衬底包括电介质层和图案化导电材料；桥接器部件，所述桥接器部件位于所述衬底的所述顶侧上方，所述桥接器部件具有顶侧和底侧，并且所述桥接器部件具有位于所述顶侧和所述底侧之间的第一侧壁和第二侧壁，所述第一侧壁与所述第二侧壁横向相对，所述桥接器部件具有位于所述顶侧上的第一导电触点，以及所述第一导电触点上的焊料，并且所述桥接器部件具有位于所述底侧上的第二导电触点，所述第二导电触点电耦接到所述衬底的所述图案化导电材料的第一部分；绝缘材料，所述绝缘材料在所述衬底的所述顶侧上并且与之接触，所述绝缘材料的第一部分具有与所述桥接器部件的所述第一侧壁横向间隔开的第一倾斜侧壁，并且所述绝缘材料的第二部分具有与所述桥接器部件的所述第二侧壁横向间隔开的第二倾斜侧壁；底填材料，所述底填材料位于所述桥接器部件上方，所述底填材料具有横向位于所述绝缘材料的所述第一部分和所述桥接器部件的所述第一侧壁之间并且接触所述绝缘材料的所述第一部分和所述桥接器部件的所述第一侧壁的第一部分，并且所述底填材料具有横向位于所述绝缘材料的所述第二部分和所述桥接器部件的所述第二侧壁之间并且接触所述绝缘材料的所述第二部分和所述桥接器部件的所述第二侧壁的第二部分；布线区域，所述布线区域在所述绝缘材料的所述第一部分之上和所述绝缘材料的所述第二部分之上，所述布线区域在所述桥接器部件之上的所述底填材料上，所述布线区域的第一部分通过所述绝缘材料的所述第一部分耦接到所述衬底的所述图案化导电材料的第二部分，并且所述布线区域的第二部分通过所述绝缘材料的所述第二部分耦接到所述衬底的所述图案化导电材料的第三部分；第一微电子部件，所述第一微电子部件位于所述布线区域的所述第一部分上方，所述第一微电子部件耦接到所述桥接器部件的所述第一导电触点的第一部分，并且所述第一微电子部件具有最上表面；第二微电子部件，所述第二微电子部件位于所述布线区域的所述第二部分上方并且与所述第一微电子部件横向间隔开，所述第二微电子部件耦接到所述桥接器部件的所述第一导电触点的第二部分，并且所述第二微电子部件具有与所述第一微电子部件的所述最上表面处于同一水平面的最上表面；模制材料，所述模制材料位于所述第一微电子部件和所述第二微电子部件之间并且接触它们；以及焊料，所述焊料位于所述衬底的所述底侧下方并且耦接到所述底侧。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 英特尔公司 包括桥接器的微电子结构

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