申请/专利权人：通富微电子股份有限公司

申请日：2023-11-29

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117744256A

主分类号：G06F30/17

分类号：G06F30/17;H01L23/14;H01L21/48;G06F30/20;G06F119/08;G06F113/26

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本公开实施例提供一种封装基板的设计方法、制造方法及封装基板，封装基板包括核心层、依次堆叠设置在核心层第一表面的至少两层第一功能层、以及依次堆叠设置在核心层第二表面的至少两层第二功能层，第一功能层与第二功能层对称分布，该设计方法包括：分别将第一功能层和第二功能层作为第一等效层和第二等效层；分别计算第一等效层的第一等效热膨胀系数和第二等效层的第二等效热膨胀系数；对核心层的热膨胀系数进行调控，以达到与第一等效热膨胀系数和第二等效热膨胀系数相匹配的目标等效热膨胀系数。创新性的对核心层的目标等效热膨胀系数调控为与第一等效热膨胀系数和第二等效热膨胀系数相匹配，降低基板的翘曲问题，增加基板的可靠性。

主权项：1.一种封装基板的设计方法，所述封装基板包括核心层、依次堆叠设置在所述核心层第一表面的至少两层第一功能层、以及依次堆叠设置在所述核心层第二表面的至少两层第二功能层，所述第一功能层与所述第二功能层对称分布，其特征在于，所述设计方法包括：分别将所述至少两层第一功能层和所述至少两层第二功能层作为第一等效层和第二等效层；分别计算所述第一等效层的第一等效热膨胀系数和所述第二等效层的第二等效热膨胀系数；对所述核心层的热膨胀系数进行调控，以达到与所述第一等效热膨胀系数和所述第二等效热膨胀系数相匹配的目标等效热膨胀系数。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 通富微电子股份有限公司 封装基板的设计方法、制造方法及封装基板

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